[发明专利]一种具有双透波频带、三吸波频带的频率选择超表面结构有效
申请号: | 202211134558.X | 申请日: | 2022-09-19 |
公开(公告)号: | CN115360526B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 史琰;刘珣玥 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;H01Q17/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 王晶 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 双透波 频带 三吸波 频率 选择 表面 结构 | ||
1.一种具有双透波频带、三吸波频带的频率选择超表面结构,其特征在于,包括16×16个基本结构单元复制平移,基本结构单元包括五层介质层、八层金属层和三层空气层;
所述介质层由自上而下分布的第一介质层(1)、第二介质层(3)、第三介质层(5)、第四介质层(7)和第五介质层(8);
金属层由自上而下分布的单频通带两侧吸收损耗层(9)、双频通带三频带吸收损耗层一(10)和双频通带三频带吸收损耗层二(11)、低通频率选择表面层一(12)和低通频率选择表面层二(13)以及双频通带频率选择表面一(14)、双频通带频率选择表面二(15)和双频通带频率选择表面三(16);
所述第一介质层(1)与第二介质层(3)之间为空气层一(2),第二介质层(3)与第三介质层(5)之间为空气层二(4),第三介质层(5)与第四介质层(7)之间为空气层三(6);
所述单频通带两侧吸收损耗层(9)位于第一介质层(1)上表面,双频通带三频带吸收损耗层一(10)和双频通带三频带吸收损耗层二(11)分别位于第二介质层(3)的上、下表面,低通频率选择表面层一(12)和低通频率选择表面层二(13)分别位于第三介质层(5)的上、下表面,双频通带频率选择表面一(14)、双频通带频率选择表面二(15)和双频通带频率选择表面三(16)分别位于第四介质层(7)和第五介质层(8)的上、中、下层;
所述的单频通带两侧吸收损耗层(9)由四个集总电阻(17)、十字形金属贴片(18)、四个弯折线金属贴片(19)和四个电容式金属条带贴片(20)构成,集总电阻(17)、弯折线金属贴片(19)和电容式金属条带贴片(20)通过90°旋转对称与十字形金属贴片(18)相连;
所述的双频通带三频带吸收损耗层一(10)和双频通带三频带吸收损耗层二(11)由四个集总电阻(21)、十字形金属贴片(22)、四个弯折线金属贴片(23)、四个电容式金属条带贴片(24)和四个方环形金属贴片(25)构成,集总电阻(21)、弯折线金属贴片(23)、电容式金属条带贴片(24)和方环形金属贴片(25)通过90°旋转对称与十字形金属贴片(22)相连;
所述的低通频率选择表面层一(12)和低通频率选择表面层二(13)相同,均由方环形金属贴片(26)以周期d平移成2×2个大小形状一致的阵列构成;
所述的双频通带频率选择表面一(14)、双频通带频率选择表面二(15)和双频通带频率选择表面三(16)由方环形金属贴片(27)和外圆环形金属贴片(28)和内圆环形金属贴片(29)构成,其中双频通带频率选择表面一(14)与双频通带频率选择表面三(16)相同。
2.根据权利要求1所述的一种具有双透波频带、三吸波频带的频率选择超表面结构,其特征在于,所述的第一介质层(1)的厚度h1为0.254mm,第二介质层(3)的厚度h2为0.254mm,第三介质层(5)的厚度h3为0.5mm,第四介质层(7)和第五介质层(8)的厚度相同,且它们合在一起的总厚度h4为2mm,介质基板的材质均是相对介电常数为εr=2.65的F4BM材料,第一介质层(1)和第二介质层(3)其间由空气层一(2)隔开,空气层一(2)的厚度hair1为2mm;第二介质层(3)和第三介质层(5)其间由空气层二(4)隔开,空气层二(4)的厚度hair2为3mm;第三介质层(5)和第四介质层(7)、第五介质层(8)其间由空气层三(6)隔开,空气层二(4)的厚度hair3为12.5mm。
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