[发明专利]声波激励磁电天线的制备方法及其结构

权利要求书

1.一种声波激励磁电天线的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次沉积第一支撑层、底电极层、压电薄膜层以及磁致伸缩薄膜层；

依次对磁致伸缩薄膜层、压电薄膜层以及底电极层进行图形化刻蚀，并暴露第一支撑层；

在第一支撑层上沉积绝缘层并进行图形化刻蚀，以形成隔离磁致伸缩薄膜层和底电极层的绝缘环。

2.如权利要求1所述的声波激励磁电天线的制备方法，其特征在于，所述的依次对磁致伸缩薄膜层、压电薄膜层以及底电极层进行图形化刻蚀，并暴露第一支撑层，包括：

依次对磁致伸缩薄膜层和压电薄膜层进行相同的图形化刻蚀，并暴露出底电极层；

对底电极层进行图形化刻蚀，并暴露第一支撑层。

3.如权利要求2所述的声波激励磁电天线的制备方法，其特征在于，所述绝缘环包括自所述磁致伸缩薄膜层表面延伸至所述第一支撑层表面第一绝缘部和自所述磁致伸缩薄膜层表面延伸至所述底电极层表面的第二绝缘部，所述第一绝缘部与所述第二绝缘部围合形成所述绝缘环。

4.如权利要求1所述的声波激励磁电天线的制备方法，其特征在于，还包括，形成与所述磁致伸缩薄膜层电性连接的第一导电层，以及形成与所述底电极层电性连接的第二导电层的步骤。

5.如权利要求1所述的声波激励磁电天线的制备方法，其特征在于，还包括在所述衬底上形成声波反射结构的步骤。

6.如权利要求5所述的声波激励磁电天线的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成声波反射结构包括：

对衬底远离所述第一支撑层的一侧进行图形化刻蚀并暴露出所述第一支撑层，形成空气腔；

所述底电极层、压电薄膜层以及磁致伸缩薄膜层在垂直方向的投影完全覆盖所述空气腔；或，

在衬底上沉积第一支撑层的步骤之前，先对衬底进行图形化刻蚀，形成凹槽，并在凹槽内形成填充层，所述填充层表面与所述衬底表面齐平，所述第一支撑层沉积于所述衬底和所述填充层表面；

在形成绝缘环之后，对所述填充层进行腐蚀或刻蚀，释放所述凹槽以形成空气腔；或，

在衬底上沉积第一支撑层的步骤之前，先在衬底上形成第二支撑层，对所述第二支撑层图形化刻蚀并暴露出所述衬底，形成空气腔，并在所述空气腔内形成填充层，所述填充层表面与所述第二支撑层表面齐平，所述第一支撑层沉积于所述第二支撑层和所述填充层表面；

在形成绝缘环之后，对所述填充层进行刻蚀，释放所述空气腔；或，

在衬底上沉积第一支撑层的步骤之前，先对衬底进行图形化刻蚀，形成凹槽；

在凹槽内依次交替沉积高声阻抗声波反射薄膜层和低声阻抗声波反射薄膜层以形成布拉格反射层，所述布拉格反射层表面与所述衬底表面齐平，所述第一支撑层沉积于所述布拉格反射层表面。

7.如权利要求6所述的声波激励磁电天线的制备方法，其特征在于，

所述磁致伸缩薄膜层包括FeGa、FeGaB、FeGaB/Al₂O₃、FeGa/NiFe、FeGaC、FeGaN薄膜中的一种或多种组合；和/或，

所述压电薄膜层包括AlN/AlScN、ZnO、锆钛酸铅、钛酸铅、铌酸钾、铌酸锂和钽酸锂薄膜中的一种或多种组合；和/或，

所述底电极层包括Mo、Pt、Al、W、Ta薄膜中的一种或多种组合；和/或，

所述第一支撑层和所述第二支撑层包括AlN、SiC、Si₃N₄、SiO₂薄膜中的一种或多种组合；和/或，

所述衬底包括Si衬底、SiC衬底、Sapphire衬底或SOI衬底，所述衬底的厚度为200～800μm；和/或，

所述填充层的材料包括PSG或多晶硅。