[发明专利]一种用于CMP的电涡流传感器和膜厚测量装置

权利要求书

1.一种用于CMP的电涡流传感器，其特征在于，包括依次叠放的检测线圈、激励线圈和补偿线圈，所述激励线圈位于检测线圈和补偿线圈之间，所述检测线圈的安装位置靠近抛光盘上表面，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈的水平截面均为矩形，并且，激励线圈的水平截面面积小于检测线圈的水平截面面积，检测线圈与补偿线圈的水平截面面积相同。

2.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述激励线圈的水平截面面积为检测线圈或补偿线圈的20%~80%。

3.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述检测线圈和补偿线圈的异名端相连。

4.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述电涡流传感器在抛光盘中的安装位置设定为使得各个线圈的长度方向平行于抛光盘的半径方向。

5.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈各自在中央位置设有一形状和大小相同的矩形镂空区域，从而形成环状并具有内宽、内长和外宽、外长。

6.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈的高度均不大于1mm。

7.如权利要求5所述的电涡流传感器，其特征在于，所述激励线圈的结构参数为：内宽大于等于1mm，外宽小于等于6mm，内长大于等于5mm，外长小于等于20mm，匝数不大于300匝。

8.如权利要求5所述的电涡流传感器，其特征在于，所述检测线圈和补偿线圈的结构参数完全一致，其外宽小于等于8mm，外长小于等于20mm，匝数不大于700匝。

9.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈三者同轴放置并且相互平行。

10.如权利要求9所述的电涡流传感器，其特征在于，两两线圈之间的垂直距离小于等于0.9mm。

11.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，还包括线圈骨架和屏蔽壳；所述线圈骨架用于支撑固定检测线圈、激励线圈和补偿线圈并使两两线圈之间绝缘；所述屏蔽壳用于减小外界磁场干扰。

12.如权利要求11所述的电涡流传感器，其特征在于，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈同向绕制在所述线圈骨架上。

13.一种膜厚测量装置，其特征在于，包括如权利要求1至12任一项所述的电涡流传感器，还包括前置信号处理模块、数据采集模块和通讯模块；

所述电涡流传感器连接前置信号处理模块，前置信号处理模块连接数据采集模块，数据采集模块连接通讯模块，通讯模块与上位机通信。

14.一种化学机械抛光设备，其特征在于，包括承载头、抛光盘、修整器和抛光液供给装置，还包括安装在抛光盘中的如权利要求13所述的膜厚测量装置。