[发明专利]一种CWDM光发送芯片

权利要求书

1.一种CWDM光发送芯片，包括：SiNx光栅耦合器、SiNx模斑转换器、波导转换器、SiNx-薄膜铌酸锂电光调制器、SiNx-薄膜铌酸锂波导器件、SiNx-薄膜铌酸锂CWDM波分复用器，其特征在于，

SiNx材料沉积在二氧化硅衬底层，形成SiNx波导层，薄膜铌酸锂无需刻蚀直接键合在所述SiNx波导层上，所述SiNx波导层上依次覆盖二氧化硅薄膜层与薄膜铌酸锂层，所述SiNx波导层经过刻蚀以后与覆盖在其上的二氧化硅层及薄膜铌酸锂层共同形成SiNx-薄膜铌酸锂波导器件；

所述SiNx光栅耦合器为芯片与光纤的耦合接口，所述SiNx模斑转换器用于将光栅区域的光模场传递到光波导中传输，所述波导转换器用于将SiNx波导内部传输的光模场传递到SiNx-薄膜铌酸锂波导层中传输；所述SiNx-薄膜铌酸锂电光调制器通过SiNx模斑转换器将光模场尽可能限制在薄膜铌酸锂材料中，同时使用薄膜铌酸锂材料二次电光系数γ33，从而实现高速电光调制。

2.根据权利要求1所述的一种CWDM光发送芯片，其特征在于：所述SiNx-薄膜铌酸锂电光调制器的电极结构采用推挽结构，能够同时在SiNx-薄膜铌酸锂电光调制器的两臂上实现相反的相移。

3.根据权利要求1所述的一种CWDM光发送芯片，其特征在于：所述SiNx-薄膜铌酸锂CWDM波分复用器采用单步刻蚀工艺制备。

4.根据权利要求1所述的一种CWDM光发送芯片，其特征在于：所述SiNx光栅耦合器设置于输入光纤与输出光纤接口处。

5.根据权利要求1所述的一种CWDM光发送芯片，其特征在于：所述SiNx模斑转换器为锥形结构的光波导。

6.根据权利要求1所述的一种CWDM光发送芯片，其特征在于：光波由SiNx-薄膜铌酸锂多模干涉耦合器分束输入到相移器两臂内部进行传输或将传输完成后相移器两臂的光波合束输出。

7.根据权利要求1所述的一种CWDM光发送芯片，其特征在于：所述SiNx采用普通氮化硅材料或富硅氮化硅或富氮氮化硅材料。

8.根据权利要求1所述的一种CWDM光发送芯片，其特征在于：SiNx波导器件层通过等离子增强化学气相沉积法(PECVD)将SiNx材料沉积在二氧化硅衬底层上。

9.根据权利要求1所述的一种CWDM光发送芯片，其特征在于：SiNx波导通过一步全刻蚀工艺留下在SiNx波导器件层上。