[发明专利]甜瓜低温弱光耐性鉴定方法

权利要求书

1.一种甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，包括：

(1)甜瓜萌发期和苗期低温弱光耐性指标测定

A、萌发期

将甜瓜种子用温水浸种，然后随机分为萌发处理组和萌发对照组，所述萌发处理组在第一低温下培养，所述萌发对照组在第一常温下培养，在培养第n天，统计发芽数，测定胚根长度，计算活力指数，所述活力指数＝第n天发芽率×第n天胚根长度；

B、苗期

将3叶1心期甜瓜幼苗随机分为幼苗处理组和幼苗对照组，所述幼苗处理组在第二低温和弱光下培养，所述幼苗对照组在第二常温和中等光照强度下培养，在培养第m天，测定地上部鲜重、叶绿素含量、地下部干重和茎粗；

(2)低温弱光耐性评价值计算

根据以下公式计算低温弱光耐性评价值：

D＝-0.074+0.112VI+0.109OFW+0.258CL+0.03RDW+0.109SD

其中VI是活力指数耐性系数，OFW是地上部鲜重耐性系数，CL是叶绿素含量耐性系数，RDW是地下部干重耐性系数，SD是茎粗耐性系数；

所述活力指数耐性系数＝所述萌发处理组的所述活力指数/所述萌发对照组的所述活力指数，所述地上部鲜重耐性系数＝所述幼苗处理组的所述地上部鲜重/所述幼苗对照组的所述地上部鲜重，所述叶绿素含量耐性系数＝所述幼苗处理组的所述叶绿素含量/所述幼苗对照组的所述叶绿素含量，所述地下部干重耐性系数＝所述幼苗处理组的所述地下部干重/所述幼苗对照组的所述地下部干重，所述茎粗耐性系数＝所述幼苗处理组的所述茎粗/所述幼苗对照组的所述茎粗；

D值越大表明甜瓜的耐低温弱光性越强，D值越小表明甜瓜的耐低温弱光性越弱。

2.根据权利要求1所述的甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，在所述步骤A中，所述温水的温度为28℃～32℃，所述浸种的时间为6h～8h。

3.根据权利要求1所述的甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，在所述步骤A中，所述第一低温为12℃～15℃。

4.根据权利要求1所述的甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，在所述步骤A中，所述第一常温为28℃～30℃。

5.根据权利要求1所述的甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，在所述步骤A中，所述n为8。

6.根据权利要求1所述的甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，在所述步骤B中，所述第二低温为每天12小时12℃～15℃+12小时8℃～10℃。

7.根据权利要求1所述的甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，在所述步骤B中，所述弱光的光照强度为60μmol/m²/S¹～80μmol/m²/S¹。

8.根据权利要求1所述的甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，在所述步骤B中，所述第二常温为每天12小时28℃～30℃+12小时18℃～20℃。

9.根据权利要求1所述的甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，在所述步骤B中，所述中等光照强度为300μmol/m²/S¹～400μmol/m²/S¹。

10.根据权利要求1所述的甜瓜低温弱光耐性鉴定方法，其特征在于，在所述步骤B中，所述m为15。