[发明专利]一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器

权利要求书

1.一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器结构，其特征在于，包括：

矩形波导输入端口，实现太赫兹波的输入，可与其他太赫兹器件连接使用；

基底，其位于矩形波导长边的中线上，其正面和背面可制作金属结构；

矩形波导－鳍线过渡结构，其位于基底的背面，实现矩形波导到鳍线的太赫兹波传输过渡，可减小器件的尺寸，保证良好的工作状态；

鳍线结构，其位于基底的背面，与矩形波导－鳍线过渡结构连接，可将太赫兹波束缚在结构中间，实现太赫兹波的低插损传播。

探针型微结构移相单元，其位于基底的正面，通过电压控制单元上的砷化镓二极管，可实现太赫兹波的相位移动，再通过中心对称移相单元的叠加，增加太赫兹波相位调控范围，最终实现多位太赫兹移相；

馈电开口部分，其位于矩形波导的长边，可以实现对探针型微结构移相单元进行控制，同时减少对太赫兹波传播的影响；

鳍线－矩形波导过渡结构，其位于基底的背面，与鳍线结构连接，实现鳍线到矩形波导的太赫兹波传输过渡，将移相后的太赫兹波进行输出；

矩形波导输出端口，实现太赫兹波的输出。

2.根据权利要求1所述的一种基于数据增广的零样本分类方法，其特征在于，所述矩形波导输入端口、矩形波导输出端口均为国际标准波导。

3.根据权利要求1所述的一种基于数据增广的零样本分类方法，其特征在于，所述矩形波导－鳍线过渡结构和鳍线－矩形波导过渡结构为一段函数渐变鳍线结构，其函数为指数、抛物线、正弦平方、余弦平方函数等，可实现低插入损耗的太赫兹波传播过渡。

4.根据权利要求1所述的一种基于数据增广的零样本分类方法，其特征在于，所述鳍线结构位于基底的背面，其同时与矩形波导－鳍线过渡结构、鳍线－矩形波导过渡结构连接，将太赫兹波束缚在鳍线的中间开口上。

5.根据权利要求1所述的一种基于数据增广的零样本分类方法，其特征在于，所述探针型微结构移相单元位于基底的正面，其包括探针结构、接地结构、砷化镓二极管、匹配移相结构和馈电结构，其中探针结构的一端处于鳍线的中间开口上，另一端与砷化镓二极管的负极连接，接地结构将探针结构和矩形波导壁连接起来，砷化镓二极管的正极与匹配移相结构的一端连接，匹配移相结构的另一端与馈电结构连接；通过馈电结构馈入控制电压，控制砷化镓二极管的通断，改变探针型微结构移相单元对鳍线中间开口的电磁场的影响，进而影响鳍线结构的相对介电常数和相速度，从而得到太赫兹波相移。

6.根据权利要求1所述的一种基于数据增广的零样本分类方法，其特征在于，所述探针结构和匹配移相结构的形状、尺寸可调，进而在低入损耗情况下实现不同度数大小的相移。

7.根据权利要求1所述的一种基于数据增广的零样本分类方法，其特征在于，所述鳍线、矩形波导－鳍线过渡结构、鳍线－矩形波导过渡结构、探针型微结构移相单元所使用的金属材料为Au、Ag、Cu或Al。

8.根据权利要求1所述的一种基于数据增广的零样本分类方法，其特征在于，所述探针型微结构移相单元包括M个移相单元，M≥2，其通过中心对称、平行排列的方式进行叠加，可减少芯片尺寸，增加相移范围。

9.根据权利要求1所述的一种基于数据增广的零样本分类方法，其特征在于，所述馈电开口部分位于矩形波导的长边且正好与馈电结构的大块金属板部分对齐，可简单方便地实现外部电路对移相单元的电压控制。

10.根据权利要求1所述的一种基于数据增广的零样本分类方法，其特征在于，所述基底材料为石英、碳化硅、高阻硅、蓝宝石或砷化镓。