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[发明专利]数字移相器-CN202280003950.2在审
发明人：上道雄介 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明的数字移相器是将具备信号线路、设置在信号线路的两侧的一对内侧线路、分别设置在内侧线路的外侧的一对外侧线路、与内侧线路以及外侧线路的各一端连接的第一接地导体、与外侧线路的各另一端连接的第二接地导体、以及设置在内侧线路的各另一端与第二接地导体之间的一对电子开关的多个数字移相电路级联连接而成的数字移相器。多个数字移相电路具备由前列与后列构成的多列构造、以及连接前列的外侧线路与后列的外侧线路的列间连接构造，从前列的最上游数字移相电路的输入端到后列的最上游数字移相电路的输入端为止的数字移相电路的个数被设定为前列的最上游数字移相电路的输入信号的相位与后列的最上游数字移相电路的输入信号的相位为反相。
数字移相器

[发明专利]数字移相器-CN202280003931.X在审
发明人：上道雄介 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：连接部具备：第一连接线路，连接第一数字移相电路的信号线路与第二数字移相电路的信号线路；第二连接线路，连接上述第一数字移相电路的内侧线路与上述第二数字移相电路的内侧线路；接地层，配置在上述第一连接线路及上述第二连接线路的上方及下方；以及第一导通孔，至少连接上述第二连接线路与上述接地层。
数字移相器

[发明专利]一种基于波导插入微结构的太赫兹动态相位调制器-CN202111265299.X有效
发明人：梁华杰;赵浛瑜;杨自强;王兰;张雅鑫;杨梓强 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）;壹新通信科技（浙江）有限责任公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于波导插入微结构的太赫兹动态相位调制器，包括矩形波导定向耦合器和偶数个结构完全相同的插入式微结构，所述矩形波导定向耦合器共有四个端口，分别为输入端口、输出端口、第一反射端口和第二反射端口，偶数个插入式微结构插入矩形波导内，并分别位于第一反射端口和第二反射端口处，所述插入式微结构包括基底、以及设于基底上的插入金属结构、金属条结构、砷化镓变容二极管、接地金属结构以及馈电金属结构。本发明可以提供连续动态的太赫兹相位调控，同时保持较低的插入损耗。
一种基于波导插入微结构赫兹动态相位调制器

[发明专利]移相器-CN201980095841.6有效
发明人：春名贵雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：在输入端子(IN)与输出端子(OUT)之间第1路径(I)与第2路径(II)相互并联连接。在第1路径(I)设置有高通滤波器(HPF)。在第2路径(II)设置有低通滤波器(LPF)。开关(SW1～SW4)使高通滤波器(HPF)和低通滤波器(LPF)的一方与输入端子(IN)以及输出端子(OUT)连接，并将另一方切断。传送线路(TL1、TL2)分别设置于第1路径(I)以及第2路径(II)。调整传送线路(TL1、TL2)的线路长度以使因高通滤波器(HPF)以及低通滤波器(LPF)的电路常数和开关(SW1～SW4)断开时的电容引起的共振向通信频带移动。
移相器

[发明专利]一种新型片上编码移相器-CN202211513120.2在审
发明人：兰峰;付鑫;张雅鑫;杨梓强;宋天阳 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）;电子科技大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型片上编码移相器，属于电磁波传输功能器件技术领域，解决了现有SSPP传输线的相关研究，截止到目前仍然停留在单一编码状态下的调控，造成调控的范围、精度以及灵活性都非常有限的问题，其包括介质基板、两个过渡结构以及SSPP传输线，SSPP传输线设在介质基板上，两个过渡结构设在SSPP传输线两侧，SSPP传输线包括多个数字编码调控单元；每个数字编码调控单元都包括端部依次连接的横向金属板、纵向金属板、二极管以及金属谐振环贴片；每个金属谐振环贴片上都设有电压控制线。本发明通过二极管将每个金属谐振环贴片连接，基本数字编码调控单元结构随着加载在上面电控二极管状态的改变而发生相移，实现了对电磁波的动态调控。
一种新型编码移相器

[发明专利]一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器-CN202211083798.1在审
发明人：梁华杰;谷绍康;赵浛瑜;高跃;邹林;梁丹;张雅鑫;杨梓强 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明属于电磁功能器件领域，具体涉及一种基于砷化镓二极管的鳍线太赫兹多位移相器，包括：矩形波导输入端口、基底、矩形波导－鳍线过渡结构、鳍线结构、探针型微结构移相单元、其馈电开口部分、鳍线－矩形波导过渡结构、矩形波导输出端口，本发明针对现有的太赫兹波相位调制器移相技术方案少，移相时插入损耗大、相移范围小、器件尺寸大且可集成性低的问题，通过电压控制探针型微结构移相单元上二极管的通断，改变探针对鳍线的微扰强度，使得鳍线的等效介电常数发生变化，从而实现太赫兹波的相移；再通过中心对称、平行排列的方式进行叠加对个移相单元，最终实现低插损的多位太赫兹波相移，保证良好的工作状态，推进太赫兹相位调控技术的发展。
一种基于砷化镓二极管鳍线赫兹移相器

[发明专利]一种具有负耦合结构的介质滤波器、多工器、通信天线-CN202111270834.0有效
发明人：潘彦龙;伍隽;闵祥会;蒋匆聪;陈威宇 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有负耦合结构的介质滤波器，包括固体介质本体和设置在所述固体介质本体上的负耦合结构，所述固体介质本体上至少设置有两个调试孔，两个所述调试孔为盲孔，所述负耦合结构包括介电常数大于固体介质本体的介质块，所述介质块设置在两个所述调试孔之间的固体介质本体中，所述介质块上设置有负耦合孔，所述负耦合孔的深度小于调试孔的深度。本发明还公开了一种多工器和通信天线。本发明通过改变负耦合结构的设计，改变负耦合孔的深度，不仅有利于加工时提高产品的良率，还可以延长产品的使用寿命。
一种具有耦合结构介质滤波器多工器通信天线

[发明专利]一种基于谐振器的相位可调移相器-CN202210969256.8在审
发明人：邵川;褚慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于谐振器的相位可调移相器，采用单层介质基板，整体结构沿垂直方向对称，包括微带线输入、输出端口，N个两端开路的半波长微带谐振器，每个半波长微带谐振器的两个开路端都加载有相同的变容二极管及相应的电压偏置电路。通过改变变容二极管的偏置电压实现在一定带宽内相位的连续可调。同时，所采用的变容二极管在本发明中所需要的容值变化范围较小，因此其内阻值的变化范围比较小，使得本发明的插损变化范围也较小。此外，通过研究该可调移相器中心频率处的相位斜率与相对带宽的关系，实现了其在相位连续可调过程中，相位斜率能保持基本不变，从而实现了较低的相位误差。本发明的可调移相器非常适用于现代通信及雷达系统中。
一种基于谐振器相位可调移相器

[发明专利]基于“倒E”结构的单电路多比特移相器-CN202011592472.2有效
发明人：刘云;刘凌云 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明公开了基于“倒E”结构的单电路多比特移相器，属于基本电气元件的技术领域。该移相器由上层微带结构、中间层介质板、下层金属板组成。上层微带结构由一条50Ω主传输线和三个N比特分支电纳加载单元组成，通过N个开关的通断实现单个N比特电纳加载单元中的N条微带传输线是否接入。因为PIN二极管开关被并联加载到微带传输线，而不是串联接入传输线，所以可以实现较低的插入损耗。设计的基于“倒E”结构的单电路多比特移相器的移相单元电路中只通过一条主传输线和三个N比特分支电纳加载单元实现了多比特移相功能，与传统的多比特移相器比较，该移相器单元的N个移相比特共用主传输线，具有电路紧凑、电路面积小、损耗低、易加工的优点。
基于结构电路比特移相器

[发明专利]一种基于变容二极管的微带反射式动态太赫兹移相器-CN202111056697.0有效
发明人：梁华杰;王兰;杨自强;张雅鑫;杨梓强 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）;壹新通信科技（浙江）有限责任公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于变容二极管的微带反射式动态太赫兹移相器，包括输入波导、输入波导‑微带线过渡结构、微带线3dB定向耦合器、接地结构、反射电路、微带线‑输出波导过渡结构和输出波导，所述反射电路包括第一金属匹配结构、砷化镓变容二极管、第二金属匹配结构以及馈电金属结构，所述第一金属匹配结构的一端与微带线3dB定向耦合器的第一反射端口或第二反射端口连接，另一端与砷化镓变容二极管的负极连接，所述第二金属匹配结构的一端与砷化镓变容二极管的正极连接，另一端与馈电金属结构连接。本发明可以提供连续动态的太赫兹相位调控，同时保持较低的插入损耗。
一种基于变容二极管微带反射动态赫兹移相器

[发明专利]一种波导电控二极管移相器-CN202111390080.2有效
发明人：夏雨龙;朱旗 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种波导电控二极管移相器，通过结构级联，所设计的波导电控移相器可实现0‑360°相位周期内数字式步进式移相，可满足实际相控阵天线的移相需求，而且波导电控移相器采用了加载式结构，在实现移相的同时只有部分能量通过加载结构，使得移相器具有较低的插损以及较高的功率容量；同时，相比于传统波导电控移相器，该款移相器具有更高的移相平稳度；同时，所设计的加载结构可采用成熟的PCB工艺实现，同时传输波导结构始终具有均匀的截面，使得整个结构便于加工且具有较低的成本；此外，波导电控移相器结构嵌入波导内部，整个结构被限制在波导截面内，具有尺寸小、重量轻的优点，特别适用于密集排布的阵列应用。
一种波导二极管移相器

[发明专利]基于新型延迟线结构的宽带太赫兹移相器-CN201911273999.6有效
发明人：兰峰;张子琦;王禄炀;尹婧;杨梓强;史宗君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：基于新型延迟线结构的宽带太赫兹移相器，属于电磁波传输功能器件技术领域。本发明包括重叠设置的反射底板和衬底介质基片，在衬底介质基片上表面设置有p‑i‑n二极管，p‑i‑n二极管的两端分别连接矩形谐振贴片和相移线；第一连接线一端连接矩形谐振贴片，第一连接线通过穿透衬底介质基片和反射底板的第一通孔在移相器底面引出；第二连接线的一端连接接线环的内缘，第二连接线通过穿透衬底介质基片和反射底板的第二个通孔引出在移相器底面引出；所述相移线包括两个平行设置的纵向栅条和连接此两个纵向栅条的横向栅条，接线环设置于两个纵向栅条之间，并与两个纵向栅条连接。本发明大大提升了相对带宽，衰减损耗极小，实现了在0.1THz频段下的相移效果。
基于新型延迟线结构宽带赫兹移相器

[发明专利]一种宽带宽移相范围反射型可调移相器及其设计方法-CN201611083631.X有效
发明人：郑少勇;柳文举;李元新 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带宽移相范围反射型可调移相器及其设计方法，该可调移相器由垂直安装平面电路以及两条分别并联两个变容二极管的四分之一波长线组成，垂直安装平面电路是由垂直耦合基片和水平电路板组成的三维结构，在保证宽移相范围的同时提高了可调移相器的工作带宽；该移相器结构紧凑，尺寸小，采用微带线结构成本低廉，结构简单、易于加工，易于与其他器件或设备集成。
一种宽带宽移相范围反射可调移相器及其设计方法

[实用新型]一种基于PIN二极管的三枝节微带线可调移相器-CN201922337471.2有效
发明人：宋飞 -专利权人：南京星腾通信技术有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于PIN二极管的三枝节微带线可调移相器，包括介质支撑基板，介质支撑基板的一侧表面铺设有加载负极的金属电极地层，介质支撑基板的另一侧表面印制有移相网络层，移相网络层包括微带传输线和微带枝节线，微带枝节线由三根平行放置的枝节线构成，每根所述枝节线和微带传输线之间均放置一根PIN二极管；微带枝节线和微带传输线还连接有用于控制PIN二极管的直流偏置网络。本实用新型相位调节精度高且可控制、成本低、损耗小、质量轻、耐腐蚀、设计简单，可用于有源和无源相控阵雷达、可调波束阵列天线等领域。
一种基于 pin 二极管枝节微带可调移相器

[实用新型]一种磁共振八位数字射频移相器-CN201922485944.3有效
发明人：胡绍湘;赵鼎;廖志武;陈武凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01P1/185 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁共振八位数字射频移相器，包括单层介质板，所述单层介质板的一面设置有八位数字射频移相结构，其另一面设置有接地端和直流信号输入端。本实用新型以开关线型移相器和加载线型移相器为基础，构建了8个移相单元，并设置若干通道选择器，实现了八位精度的数字化移相。本实用新型运用于相控阵线圈能实现多样化的激励模式，通过调整控制逻辑便能产生若干射频激励磁场B1的相位分布，提供更高自由度的射频激励磁场B1数据，使MR‑EPT检测的精度高。本实用新型插入损耗低，结构简单，使用时调试方便，且操作简单，适用范围广。
一种磁共振八位数字射频移相器

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