[发明专利]一种具有高谐波抑制比的电流复用移相混频器在审

专利信息
申请号: 202211077800.4 申请日: 2022-09-05
公开(公告)号: CN115425929A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 黄同德;曹瀚璋;胡淳;吴文 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H03D7/14 分类号: H03D7/14
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 封睿
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 谐波 抑制 电流 复用移相 混频器
【权利要求书】:

1.一种具有高谐波抑制比的电流复用移相混频器,其特征在于,包括正交发生单元、I路高谐波抑制比移相混频单元、Q路高谐波抑制比移相混频单元、时序控制单元,射频信号RFIN与正交发生单元的输入端连接,正交发生单元产生的四个输出IRF+、IRF-、QRF+、QRF-,其中IRF+、IRF-与I路高谐波抑制比移相混频单元的射频信号输入端相连、QRF+、QRF-与Q路高谐波抑制比移相混频单元的射频信号输入端相连;外部输入的本振差分正交信号为ILO+、ILO-、QLO+、QLO-,其中ILO+、ILO-与I路高谐波抑制比移相混频单元的本振信号输入端相连,QLO+、QLO-与Q路高谐波抑制比移相混频单元的本振信号输入端相连;I路高谐波抑制比移相混频单元、Q路高谐波抑制比移相混频单元分别具有两个输出端,产生IIF+、IIF-与QIF+、QIF-信号,其中IIF+与QIF+与同一负载相连实现矢量合成,IIF-与QIF-与同一负载相连实现矢量合成,最后产生IF+与IF-的一对差分输出信号;

射频输入信号RFIN经过正交发生单元产生I、Q两组差分信号,I路差分信号进入I路高谐波抑制比移相混频单元,与本振信号中的I路差分本振信号、时序控制单元的控制信号进行混频并实现移相,产生I路差分中频信号;Q路差分信号进入Q路高谐波抑制比移相混频单元,与本振信号中的Q路差分本振信号、时序控制单元的控制信号进行混频并实现移相,产生Q路差分中频信号;I路差分中频信号中的正端与Q路差分中频信号中的正端输入进同一负载,产生中频正输出信号;I路差分中频信号中的负端与Q路差分中频信号中的负端输入进同一负载,产生中频负输出信号;中频正输出信号和中频负输出信号共同组成中频差分输出信号。

2.根据权利要求1所述的具有高谐波抑制比的电流复用移相混频器,其特征在于,所述正交发生单元由输入巴伦与全通正交滤波器组成,输入射频信号与输入巴伦的一个输入端连接,经过输入巴伦后产生差分的输入射频信号RF+与RF-,之后差分的输入射频信号RF+与RF-分别与正交全通滤波器的两个输入端连接,经过正交全通滤波器后产生输入射频正交差分信号IRF+、IRF-、QRF+、QRF-。

3.根据权利要求1所述的具有高谐波抑制比的电流复用移相混频器,其特征在于,所述时序控制单元包括FPGA,FPGA输出的控制信号包括IVbit1、IVbit2、IVbit3、IVbit4、IVbit5、IVbit6、QVbit1、QVbit2、QVbit3、QVbit4、QVbit5、QVbit6,其均为时序控制信号,周期均为Tp;其中IVbit1-IVbit6控制I路高谐波抑制比移相混频单元,实现I路高谐波抑制比移相混频单元的相位控制功能;其中QVbit1-QVbit6控制Q路高谐波抑制比移相混频单元,实现Q路高谐波抑制比移相混频单元的相位控制功能。

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