[发明专利]使用特征图像的三维掩模仿真中的掩模角圆化效应

说明书

本公开涉及使用特征图像的三维掩模仿真中的掩模角圆化效应。光刻掩模的布局几何形状被接收。布局几何形状包括具有一个或多个圆角的至少一个形状。布局几何形状被分割为例如从库中所选择的多个特征图像。特征图像包括至少一个掩模角圆化(MCR)校正的特征图像，其说明形状的圆角。特征图像具有对应的掩模3D(M3D)滤波器，其表示针对给定的源照明的特征图像的电磁散射效应。通过将特征图像与其对应的M3D滤波器进行卷积来计算来自特征图像中的每个特征图像的掩模函数贡献。掩模函数贡献被组合以确定用于由源照明所照明的掩模的掩模函数。

相关申请的交叉引用

根据35U.S.C.§119(e)，本申请要求于2021年9月2日提交的美国临时专利申请号63/240，039“Mask Corner Rounding Effects in Lithography Simulations”和于2022年8月29日提交的美国非临时专利申请号17/897,529的优先权。所有前述内容的技术内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及光刻掩模仿真，包括用于全芯片或大规模计算光刻应用。

背景技术

半导体晶片的制造中的一个步骤涉及光刻。在常规光刻工艺中，源产生由收集/照明光学器件收集和引导以照明光刻掩模的光。投影光学器件将由被照明的掩模产生的图案中继到晶片上，根据照明图案曝光晶片上的抗蚀剂。然后图案化的抗蚀剂在晶片上被使用在制造结构的工艺中。

各种技术涉及改进光刻工艺，包括光刻掩模的设计。在计算光刻中，光刻掩模设计被用作三维掩模模型的输入，其被用于计算描述由光源照明的掩模的电磁场散射特性的掩模函数。掩模函数然后可以被用作光学成像模型(例如，阿贝成像模型或霍普金斯成像模型)的输入以预测抗蚀剂中的印刷图案。重要的是三维掩模模型既精确又快速。

半导体器件设计通常包含尖角的图案。然而，由于掩模制造工艺的限制，这些角在实际的光刻掩模中通常是圆形的，并且与尖角相比，圆角可以具有不同的光刻效应。

发明内容

在一个方面，光刻掩模的布局几何形状被接收。布局几何形状包括具有一个或多个圆角的至少一个形状。布局几何形状被分割为多个特征图像，例如从库中被选择的。特征图像包括至少一个掩模角圆化(MCR)校正的特征图像，其说明形状的圆角。特征图像具有对应的掩模3D(M3D)滤波器，其表示针对给定源照明的特征图像的电磁散射效应。通过将特征图像与其对应的M3D滤波器进行卷积来计算来自特征图像的每个特征图像的掩模函数贡献。掩模函数贡献被组合以确定用于由源照明所照明的掩模的掩模函数。

其它方面包括组件、设备、系统、改进、方法、过程、应用、计算机可读介质、以及与任何方面相关的其它技术。

附图说明

本专利或申请文件包含至少一张彩色附图。具有(多张)彩色附图的本专利或专利申请公开的副本将在请求和支付必要费用后被办事处(Office)提供。

从以下给出的详细描述和从本公开的实施例的附图将更全面地理解本公开。附图被使用以提供对本公开的实施例的知识和理解，并且不将本公开的范围限制于这些特定实施例。此外，附图不必按比例绘制。

图1A描述了适用于本公开的实施例的极紫外(EUV)光刻工艺。

图1B是用于计算来自掩模的散射的流程图。

图2描述了将掩模布局几何形状分割为特征图像。

图3描述了在库中的特征图像。

图4A是用于计算针对特征图像的M3D滤波器的流程图。

图4B描述了示例M3D滤波器计算。

图5A描述了具有圆角的掩模结构。