[发明专利]一种静电放电保护装置、等效电路及芯片

说明书

本申请提供了一种静电放电保护装置、等效电路及芯片，静电放电保护装置包括第一深阱区和第二深阱区、第三深阱区和第四深阱区、第一注入区和第二注入区、第三注入区和第四注入区、第一阱区和第二阱区、第五注入区和第六注入区，其中，第五注入区用于与芯片的PAD端口连接，第六注入区用于接地，在负向ESD发生时，也能起到很好的防护作用。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种静电放电保护装置、等效电路及芯片。

背景技术

在芯片领域，优秀的静电释放(ESD，Electro-Staticdischarge)装置，对保护端口安全十分重要。现有的ESD结构防护设计当中，主要面向提高ESD耐正压输入的要求，而对负压输入的考量较少。而对于工业使用的高压芯片来说，由于工作条件的复杂性，输入负压的范围更宽，现有的ESD结构无法满足使用要求。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种静电放电保护装置、等效电路及芯片，以在满足ESD结构正电压输入要求的情况下，同时满足负电压的输入要求。

第一方面，本申请提供了一种静电放电保护装置，静电放电保护装置装置包括第一深阱区和第二深阱区，第一深阱区和第二深阱区形成在半导体衬底中，第一深阱区和第二深阱区具有第一导电类型；第三深阱区和第四深阱区，第三深阱区形成在第一深阱区中，第三深阱区具有第二导电类型，第四深阱区形成在第二深阱区中，第四深阱区具有第二导电类型；第一注入区和第二注入区，第一注入区和第二注入区形成在第一深阱区中，第一注入区和第二注入区的导电类型不同；第三注入区和第四注入区，第三注入区和第四注入区形成在第二深阱区中，第三注入区和第四注入区的导电类型不同，第三注入区与第一注入区的导电类型相同；第一阱区和第二阱区，第一阱区形成在第三深阱区中，第一阱区具有第二导电类型，第二阱区形成在第四深阱区中，第二阱区具有第二导电类型；第五注入区和第六注入区，第五注入区形成在第一阱区中，第五注入区具有第二导电类型，第六注入区形成在第二阱区中，第六注入区具有第二导电类型；其中，第五注入区用于与芯片的PAD端口连接，第六注入区用于接地。

优选的，还包括第五深阱区，第五深阱区形成在半导体衬底中，且第五深阱区设置在第一深阱区和第二深阱区之间有，第五深阱区具有第二导电类型。

优选的，第三深阱区设置在第一深阱区中远离第五深阱区的一侧，第四深阱区设置在第二深阱区中远离第五深阱区的一侧。

优选的，第一注入区具有第二导电类型，第二注入区具有第一导电类型，第二注入区设置在靠近第五深阱区的一侧，第一注入区与第二注入区相邻，第一注入区位于第二注入区和第三深阱区之间；第三注入区具有第二导电类型，第四注入区具有第一导电类型，第四注入区设置在靠近第五深阱区的一侧，第三注入区与第四注入区相邻，第三注入区位于第四注入区和第四深阱区之间。

优选的，半导体衬底具有第二导电类型。

优选的，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

第二方面，本申请提供了一种静电放电保护装置的等效电路，静电放电保护装置为如前述的静电放电保护装置，静电放电保护装置的等效电路包括第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极连接，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极连接，第一MOS管的源极还与第二MOS管的栅极连接，第一MOS管的基极与第二MOS管的基极连接，第一MOS管的源极还与第二MOS管的基极连接。

优选的，第一MOS管的漏极与芯片的PAD端口连接，第二MOS管的漏极接地。

优选的，以第五注入区为第一MOS管的漏极，以第三深阱区和第一深阱区为第一MOS管的栅极，以第一注入区和第二注入区为第一MOS管的源极；以第六注入区为第二MOS管的漏极，以第二深阱区和第四深阱区为第二MOS管的栅极，以第三注入区和第四注入区为第二MOS管的源极。

第三方面，本申请还提供一种芯片，芯片包括如前述的静电放电保护装置。