[发明专利]等离子体源和等离子体处理装置

说明书

本发明提供等离子体源和等离子体处理装置，其能够容易地进行等离子体点火，提高气体的分解效率。等离子体源包括：等离子体生成部，其包括具开口的第一壁和与上述第一壁相对的第二壁，并构成等离子体生成空间；电介质窗，其以封闭上述开口的方式设置于上述第一壁，构成为能够使电磁波透射到上述等离子体生成空间；以及突出部，其设置于上述第二壁，以靠近上述电介质窗的方式从上述第二壁突出，且至少一部分包含导体，在上述突出部设置有朝向上述电介质窗开口的气孔。

技术领域

本发明涉及等离子体源和等离子体处理装置。

背景技术

为了在低温下得到高品质的膜，使用等离子体进行成膜是非常重要的。近年来在成膜技术中，薄膜化不断发展，人们开始采用基于等离子体ALD(Atomic LayerDeposition：原子层沉积)法的成膜。通过使用等离子体能够在低温下得到高品质的薄膜，但另一方面，存在因等离子体对膜造成电气损伤、物理损伤而产生问题的情况。为了解决该问题，人们提出通过使用远程等离子体源(remote plasma source)的ALD法进行成膜的技术。

例如，专利文献1、2公开了具有ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)型的远程等离子体源的远程等离子体处理装置的结构。在像这样作为远程等离子体源使用ICP型远程等离子体源的情况下，存在等离子体的稳定范围窄、等离子体不容易点火的情况。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-150023号公报

专利文献2：日本特开2014-49529号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够容易地进行等离子体点火，提高气体的分解效率的技术。

用于解决技术问题的技术方案

根据本发明的一个方面，提供一种等离子体源，其包括：等离子体生成部，其包括具有开口的第一壁和与上述第一壁相对的第二壁，并构成等离子体生成空间；电介质窗，其以封闭上述开口的方式设置于上述第一壁，构成为能够使电磁波透射到上述等离子体生成空间；和突出部，其设置于上述第二壁，以靠近上述电介质窗的方式从上述第二壁突出，且至少一部分包含导体，在上述突出部设置有朝向上述电介质窗开口的气孔。

发明效果

依照本发明的一个方面，能够容易地进行等离子体点火，提高气体的分解效率。

附图说明

图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置的剖视立体图。

图2是图1所示的等离子体源的区域A的放大图。

图3是表示等离子体电子密度的模拟结果之一例的图。

图4是表示第一实施方式的等离子体源的立体图。

图5是表示电磁波供给部之一例的图。

图6是表示突出部的变形例的图。

图7是表示第二实施方式的等离子体处理装置的剖视图。

附图标记说明

1 等离子体源

2 等离子体处理装置

10 第二腔室

20 喷淋头

22 第一腔室

22a 第一壁

22b 第二壁