[发明专利]等离子体源和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体源，其特征在于，包括：

等离子体生成部，其包括具有开口的第一壁和与所述第一壁相对的第二壁，并构成等离子体生成空间；

电介质窗，其以封闭所述开口的方式设置于所述第一壁，构成为能够使电磁波透射到所述等离子体生成空间；以及

突出部，其设置于所述第二壁，以靠近所述电介质窗的方式从所述第二壁突出，且至少一部分包含导体，

在所述突出部设置有朝向所述电介质窗开口的气孔。

2.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于：

所述气孔的端面被扩径。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体源，其特征在于：

所述突出部由电介质形成。

4.根据权利要求3所述的等离子体源，其特征在于：

所述导体被埋入于所述电介质中。

5.根据权利要求4所述的等离子体源，其特征在于：

所述导体被埋入所述气孔的端面附近的所述气孔的外周，且不露出于所述气孔。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体源，其特征在于：

所述导体为圆环形状。

7.根据权利要求6所述的等离子体源，其特征在于：

所述导体的外径的直径为10mm以上、28mm以下。

8.根据权利要求1或2所述的等离子体源，其特征在于：

所述突出部由导体形成，所述导体的周围被电介质覆盖。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的等离子体源，其特征在于：

所述第一壁与所述第二壁的距离为等离子体趋肤深度的10倍～100倍。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体源，其特征在于：

所述等离子体源经由连结部被配置在等离子体处理装置的上部，

所述等离子体处理装置具有对基片进行处理的处理室，

所述等离子体生成部设置在所述等离子体处理装置的外部，将利用所述电磁波从自所述气孔供给的气体生成的等离子体，通过所述连结部供给到所述处理室。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体源，其特征在于：

在所述第二壁形成有多个贯通孔。

12.根据权利要求11所述的等离子体源，其特征在于：

所述等离子体源配置在等离子体处理装置的上部，

所述等离子体处理装置具有对基片进行处理的处理室，

所述等离子体生成部的一部分设置于所述等离子体处理装置的内部，将利用所述电磁波从自所述气孔供给的气体生成的等离子体，从所述多个贯通孔供给到所述处理室。

13.一种等离子体处理装置，其特征在于：

包括权利要求1～12中任一项所述的等离子体源。