[发明专利]一种低温充电接受的铅膏及其制备方法

权利要求书

1.一种低温充电接受的铅膏，其特征在于，包括按照重量份计的如下组分：铅粉95-105份、短纤维0.05-0.1份、稀硫酸8-9份、纯水10-15份、硫酸钡1.0-1.5份、乙炔黑0.1-0.4份、导电石墨粉0.1-0.4份。

2.根据权利要求1所述的一种低温充电接受的铅膏，其特征在于，还包括聚乙烯吡咯烷酮0.1-0.15份。

3.根据权利要求1所述的一种低温充电接受的铅膏，其特征在于，所述稀硫酸的密度为1.4g/cm³。

4.根据权利要求1所述的一种低温充电接受的铅膏，其特征在于，所述乙炔黑和导电石墨粉的组分的总份量之和为0.5份。

5.根据权利要求2所述的一种低温充电接受的铅膏制备方法，其特征在于，方法步骤如下：

S1：将聚乙烯吡咯烷酮在配方纯水中完全溶解，备用；

S2：加入50％铅粉，再投入乙炔黑、导电石墨粉、硫酸钡和短纤维，最后投入剩下的50％铅粉，进行干态搅拌混合；

S3：对S2制得混合物持续搅拌，通过高压雾化装置，然后在1min内加完S1制得的溶液；

S4：持续搅拌，加入配方量稀硫酸，同时开启风冷。

S5：持续搅拌10min，停机测量铅膏视密度，铅膏制备结束；

S6：使用制备好的铅膏涂填成极板，并制作12V20Ah成品电池。

6.根据权利要求5所述的一种低温充电接受的铅膏制备方法，其特征在于，所述S2中，干态搅拌混合的时间为3-7min，搅拌速度40-50r/min。

7.根据权利要求5所述的一种低温充电接受的铅膏制备方法，其特征在于，所述S3中，继续搅拌时间为3-8min。

8.根据权利要求5所述的一种低温充电接受的铅膏制备方法，其特征在于，所述S4中，通过控制稀硫酸流量，确保加酸过程中膏体内温度不高于45℃。

9.根据权利要求5所述的一种低温充电接受的铅膏制备方法，其特征在于，所述S5中，铅膏的视密度为4.45-4.51g/cm³。