[发明专利]一种三电平ANPC拓扑储能变流器死区实现系统及方法

权利要求书

1.一种三电平ANPC拓扑储能变流器死区实现系统，其特征在于：

所述系统包括：三电平ANPC拓扑功率电路、核心控制器和PWM控制器；

所述PWM控制器包括：4个信号边沿延迟模块和功率器件驱动信号模块；

所述核心控制器包括PWM模块，所述核心控制器用于判断所述功率器件驱动信号模块输入的交流电压或电流的功率方向，并产生功率方向信号，再通过所述核心控制器将所述功率方向信号发送给所述PWM模块，用于产生PWM调制信号D_A和PWM调制信号D_B；

4个所述信号边沿延迟模块用于接受所述PWM调制信号D_A和所述PWM调制信号D_B，并分别生成4路延迟信号，且4路所述延迟信号分别设置为延迟信号D_A1、延迟信号D_B1、延迟信号D_A2和延迟信号D_B2；

所述功率器件驱动信号模块用于接受所述延迟信号D_A1、延迟信号D_B1、延迟信号D_A2和延迟信号D_B2，并产生驱动信号用于驱动所述三电平ANPC拓扑功率电路中的开关管的开通和关断，实现输出电平控制、死区实现和死区效应补偿。

2.根据权利要求1所述的一种三电平ANPC拓扑储能变流器死区实现系统，其特征在于：三电平ANPC拓扑功率电路包括十二个半导体器件，十二个半导体器件分别为开关管G₁和二极管D₁、开关管G₂和二极管D₂、开关管G₃和二极管D₃、开关管G₄和二极管D₄、开关管G₅和二极管D₅、开关管G₆和二极管D₆，且所述二极管D₁与所述开关管G₁反向并联设置，所述二极管D₂与所述开关管G₂反向并联设置，所述二极管D₃与所述开关管G₃反向并联设置，所述二极管D₄与所述开关管G₄反向并联设置，所述二极管D₅与所述开关管G₅反向并联设置，所述二极管D₆与所述开关管G₆反向并联设置；

所述三电平ANPC拓扑功率电路还包括两组电容，两组所述电容设置为电容C₁～C_N和电容C₁′～C_N′，所述电容C₁～C_N正极均并联有直流电DC正极，所述电容C₁～C_N负极分别与所述电容C₁′～C_N′正极串联，所述电容C₁′～C_N′负极均并联有直流电DC负极；

所述开关管G₁、所述开关管G₂、所述开关管G₃和所述开关管G₄依次串联，所述开关管G₁与所述电容C₁～C_N的正极端连接，所述开关管G₄与所述电容C₁′～C_N′的负极端连接；

所述开关管G₅和所述开关管G₆串联，且所述开关管G₅和所述开关管G₆与所述开关管G₂和所述开关管G₄并联，所述开关管G₅和所述开关管G₆的连接导线与所述电容C₁～C_N和所述电容C₁′～C_N′的连接导线连接，所述开关管G₁的输出端分别所述开关管G₅的输入端和所述开关管G₂的输入端连接，所述开关管G₆的输出端和所述开关管G₃的输出端均与所述开关管G₄的输入端连接；

所述开关管G₂的输出端和所述开关管G₃的输入端分别与交流电AC端连接。