[发明专利]带有用于改进的焊接的离驻区域的连接器结构及其制造方法在审
申请号: | 202211018401.0 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN115513687A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 李瑞丰;常良坤 | 申请(专利权)人: | 艾锐势有限责任公司 |
主分类号: | H01R12/71 | 分类号: | H01R12/71;H01R13/46;H01R43/02;H01R43/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 梁晓广;李金刚 |
地址: | 美国佐*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 用于 改进 焊接 区域 连接器 结构 及其 制造 方法 | ||
带有用于改进的焊接的离驻区域的连接器结构及其制造方法。一种在引脚浸锡膏焊接中使用的连接器结构,其包括离驻区域,所述离驻区域的尺寸在引脚浸锡膏(PIP)焊接期间允许在连接器结构的表面的至少两侧上的回流空气对流。例如,离驻区域具有约0.3mm的深度或高度、约15.1mm的长度和约4.95mm的宽度。离驻区域也可以具有在0.3mm到0.5mm的范围中的深度或高度。该连接器结构是单或双端口连接器结构,其中离驻区域被构造为靠近连接器引脚的空洞或间隙,这在PIP焊接期间形成跨越连接器结构的表面的回流空气对流门通道。
本申请是申请日为2018年10月17日、申请号为201880067826.6(国际申请号为PCT/US2018/056187)、发明名称为“带有用于改进的焊接的离驻区域的连接器结构及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及单或双端口双列直插(DIP)型连接器结构,诸如在引脚浸锡膏(PIP)焊接工艺中使用的高清晰度多媒体接口(HDMI)连接器。
背景技术
DIP型连接器结构,诸如HDMI连接器,具有细间距的连接器引脚,以用于表面安装到例如印刷电路板(PCB)上。DIP型HDMI结构通常使用遗留波峰焊接工艺(legacy wavesoldering process)来进行表面安装。然而,当使用遗留波峰焊接工艺时,焊料连接的缺陷率会很高,从而影响焊料连接的可靠性和DIP型连接器结构的整体性能。另外,由于需要另外的返工和测试,因此由遗留波峰焊接工艺造成的这种缺陷的修复成本可能很高。
为了消除使用遗留波峰焊接制造的DIP型连接器结构的高缺陷率,已经实施了引脚浸锡膏(PIP)焊接工艺,该工艺通常能够提供改进的焊料连接质量。然而,传统的DIP型连接器结构在PIP焊接工艺的回流步骤期间表现出焊料润湿困难。例如,传统的DIP型连接器结构在表面上并且靠近连接器引脚包括这样的材料、构件或结构,所述材料、构件或结构能够阻挡回流空气对流并挤压焊膏,从而影响PIP焊接工艺期间的焊料连接质量。
因此,提供一种单或双端口DIP型连接器结构诸如HDMI连接器将是优于相关技术的有用的并且重要的改进,这种连接器在表面上不包括能够阻挡回流空气对流或挤压焊膏的材料、构件或结构,这在实施PIP焊接工艺时提供改进的焊料连接。
发明内容
本发明的实施例是一种在引脚浸锡膏(PIP)焊接中使用的连接器结构,其包括:绝缘外壳;至少一个电连接器,所述至少一个电连接器被接收在绝缘外壳的第一表面内;多个连接器引脚,所述多个连接器引脚位于绝缘外壳的第二表面的第一侧上,并被绝缘外壳保持;和离驻区域,所述离驻区域位于绝缘外壳的第二表面的第二侧上,所述离驻区域被定位成邻近包括所述多个连接器引脚的第一侧。
所述离驻区域的尺寸在PIP焊接期间允许在第二表面的至少两侧上的回流空气对流。离驻区域是空洞(void)或间隙(gap),该空洞或间隙的尺寸(诸如深度或高度、长度和宽度)在PIP焊接期间允许在第二表面的至少两侧上的回流空气对流。例如,离驻区域可以具有约0.3mm的深度或高度、约15.1mm的长度和约4.95mm的宽度。离驻区域还可以具有在0.3mm到0.5mm的范围中的深度或高度。
在本发明的实施例中,连接器结构是具有离驻区域的单或双端口HDMI连接器,所述离驻区域被构造为靠近连接器引脚的空洞或间隙,所述空洞或间隙在PIP焊接期间形成跨越HDMI连接器的包括连接器引脚的表面的回流空气对流门通道。
本发明的实施例提供一种在PIP焊接工艺中使用的连接器结构上形成离驻区域的方法。所述连接器结构包括:绝缘外壳;至少一个电连接器,所述至少一个电连接器被接收在绝缘外壳的第一表面内;和连接器引脚,所述连接器引脚位于绝缘外壳的第二表面的第一侧上并被绝缘外壳保持。
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