[发明专利]一种宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列有效

专利信息
申请号: 202211001429.3 申请日: 2022-08-19
公开(公告)号: CN115347359B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 孟雯雯;徐娟;孙玉荣;王凯泽 申请(专利权)人: 曲阜师范大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q13/08;H01Q15/24;H01Q21/00
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 薛云燕
地址: 273165 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽带 增益 极化 磁电 偶极子 天线 阵列
【权利要求书】:

1.一种宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列,其特征在于,包括由上至下设置的上层金属贴片(1)、上层介质基板(2)、中间层金属贴片(3)、下层介质基板(4)、下层金属贴片(5),其中:

所述上层金属贴片(1)由四组结构完全相同的金属片单元组成,每组金属片单元由5个金属片组成,分别采用矩形金属片切角以及添加矩形微扰的结构实现圆极化特性;同时每组金属片单元设有多个金属通孔,贯穿上层介质基板(2),连接上层金属贴片(1)和中间层金属贴片(3);

所述中间层金属贴片(3)平铺整个下层介质基板(4)的上表面并刻蚀四个圆形通孔;下层介质基板(4)被四个金属通孔贯穿,连接中间层金属贴片(3)及下层金属贴片(5);

所述下层金属贴片(5)采用微带线组成一分四功分器;

上层金属贴片(1)由4组结构完全相同的金属片单元组成,呈2×2阵列式排列,分别是设置于左上角的第一组金属片单元(11),右上角的第二组金属片单元(12),右下角的第三组金属片单元(13)和设置于左下角的第四组金属片单元(14);

所述第一组金属片单元(11)由5个金属片组成,分别是设置于左上角的第一金属片(111),右上角的第二金属片(112),右下角的第三金属片(113),左下角的第四金属片(114)和设置于中间位置的第五金属片(115);第一金属片(111)和第三金属片(113)结构相同且二者关于中心对称设置,第一金属片(111)采用将矩形金属片切除第一三角形(116)的金属片,刻蚀第一金属通孔阵(25);第三金属片(113)采用将矩形金属片切除第二三角形(118)的金属片,刻蚀第三金属通孔阵(27);第二金属片(112)和第四金属片(114)结构相同且二者关于中心对称设置,第二金属片(112)采用将矩形金属片右上角增加第六金属片(117),刻蚀第二金属通孔阵(26);第四金属片(114)采用将矩形金属片左下角增加第七金属片(119),刻蚀第四金属通孔阵(28);

第五金属片(115)左侧刻蚀第一金属通孔(41),第二组金属片单元(12)、第三组金属片单元(13)、第四组金属片单元(14)左侧相同位置分别刻蚀第二金属通孔(42)、第三金属通孔(43)、第四金属通孔(44);

所述下层金属贴片(5)是由微带线组成的1分4功分器,整体由7部分组成,分别是第八金属片(51)、第九金属片(52)、第十金属片(53)、第十一金属片(54)、第十二金属片(55)、第十三金属片(56)和第十四金属片(57);

所述第九金属片(52)和第十金属片(53)左右对称,结构完全相同,第九金属片(52)的右上角刻蚀第三三角形(521),第十金属片(53)左上角刻蚀第四三角形(531);

所述第十一金属片(54),第十二金属片(55),第十三金属片(56)和第十四金属片(57)结构完全相同,其中第十一金属片(54)和第十三金属片(56)上下对称,第十二金属片(55)和第十四金属片(57)上下对称;第十一金属片(54)左上角刻蚀第五三角形(541),左下角刻蚀第六三角形(542),右上角被第一金属通孔(41)贯穿;第十二金属片(55)左上角刻蚀第七三角形(551),右下角刻蚀第八三角形(552),右上角被第二金属通孔(42)贯穿;第十三金属片(56)左上角刻蚀第九三角形(562),左下角刻蚀第十三角形(561),右下角被第四金属通孔(44)贯穿;第十四金属片(57)右上角刻蚀第十一三角形(572),左下角刻蚀第十二三角形(571),右下角被第三金属通孔(43)贯穿。

2.根据权利要求1所述的宽带高增益圆极化磁电偶极子天线阵列,其特征在于,第二金属通孔阵(26)和第一金属通孔阵(25)结构相同且二者按照左右对称设置,第三金属通孔阵(27)和第一金属通孔阵(25)结构相同且二者关于中心对称设置,第四金属通孔阵(28)和第一金属通孔阵(25)结构相同且二者按照上下对称设置;

在与第一组金属片单元(11)相对应的位置,上层介质基板(2)被第一组金属片单元(11)中的第一金属通孔阵(25)、第二金属通孔阵(26)、第三金属通孔阵(27)、第四金属通孔阵(28)以及第一金属通孔(41)贯穿,形成第一组金属通孔(21);

同理,在与第二组金属片单元(12)、第三组金属片单元(13)、第四组金属片单元(14)相对应的位置,上层介质基板(2)上分别形成第二组金属通孔(22)、第三组金属通孔(23)、第四组金属通孔(24)。

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