[发明专利]一种旋转位移传感器的测量系统和测量方法在审
申请号: | 202210996711.3 | 申请日: | 2022-08-19 |
公开(公告)号: | CN115342719A | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 杜玉良;严子光;杜非蔓 | 申请(专利权)人: | 深圳市信威电子有限公司 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02;G01B7/30 |
代理公司: | 广东柏权维知识产权代理有限公司 44898 | 代理人: | 娄静丽 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区坂*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 旋转 位移 传感器 测量 系统 测量方法 | ||
1.一种旋转位移传感器的测量系统,其特征在于,包括:
构造模块,用于基于瓦型磁铁并根据预设方案对旋转位移传感器进行构造;
磁化方式选择模块,用于获取构造后所述旋转位移传感器的磁化方式;
测量模块,用于基于所述旋转位移传感器并根据所述磁化方式对待测物的旋转位移位置以及旋转角度进行测量。
2.根据权利要求1所述的一种旋转位移传感器的测量系统,其特征在于,所述构造模块,包括:
第一构造单元,用于:
获取实际位移行程,并基于所述实际位移行程确定所述瓦型磁铁的弧度形状以及所述瓦型磁铁的长度,其中,所述瓦型磁铁的长度等于或大于实际位移行程;
基于所述瓦型磁铁的弧度形状以及所述瓦型磁铁的长度生成第一构造方案,并将所述第一构造方案发送至第一监控装置,同时,基于所述第一监控装置对所述瓦型磁铁的第一构造过程进行监控;
第二构造单元,用于:
获取所述瓦型磁铁的感应位置,并确定所述感应位置与所述瓦型磁铁的垂直距离,同时,根据所述垂直距离确定所述瓦型磁铁的内径、外径、厚度以及所述瓦型磁铁的材质;
基于所述瓦型磁铁的内径、外径、厚度以及所述瓦型磁铁的材质生成第二构造方案,并将所述第二构造方案发送至第二监控装置,同时,基于所述第二监控装置对所述瓦型磁铁的第二构造过程进行监控;
第三构造单元,用于根据所述瓦型磁铁的弧度形状的内壁、外壁以及两端生成第三构造方案,并将所述第二构造方案发送至第三监控装置,同时,基于所述第三监控装置对所述瓦型磁铁的第三构造过程进行监控;
综合单元,用于基于所述第一构造过程、第二构造过程以及所述第三构造过程完成对所述旋转位移传感器的构造。
3.根据权利要求1所述的一种旋转位移传感器的测量系统,其特征在于,所述磁化方式选择模块中:
所述旋转位移传感器的磁化方式,包括:瓦型磁铁在长度方向磁化、瓦型磁铁在厚度方向磁化以及瓦型磁铁在径向磁化。
4.根据权利要求1所述的一种旋转位移传感器的测量系统,其特征在于,所述测量模块,包括:
磁感应强度分布获取单元,用于:
读取所述磁化方式,并在所述磁化方式中确定所述旋转位移传感器测量所述待测物的磁感应强度分布,
其中,所述磁感应强度分布为三维分布,分别包括:Bx分布、By分布以及Bz分布;
测量计算单元,用于获取所述磁感应强度分布所对应的分布强度值,并基于所述分布强度值计算所述待测物的旋转位移位置和旋转角度。
5.根据权利要求4所述的一种旋转位移传感器的测量系统,其特征在于,所述测量计算单元,包括:
第一计算子单元,用于:
当所述磁化方式为瓦型磁铁在长度方向磁化时,包括第一测量端、第二测量端;
基于所述第一测量端或所述第二测量端确定所述待测物的旋转位移位置和旋转角度;
其中,所述第一测量端,用于读取所述旋转位移传感器测量所述待测物的Bz分布强度值,并基于霍尔效应确定所述待测物的旋转位移位置和旋转角度;
所述第二测量端,用于:
分别读取所述旋转位移传感器测量所述待测物的Bx分布强度值、By分布强度值、Bz分布强度值;
随机选取所述Bx分布强度值、By分布强度值、Bz分布强度值中的任意两个分布强度值进行第一反正切运算,并基于第一反正切运算结果确定所述待测物的旋转位移位置和旋转角度。
6.根据权利要求4所述的一种旋转位移传感器的测量系统,其特征在于,所述测量计算单元,包括:
分布强度值获取子单元,用于当所述磁化方式为瓦型磁铁在厚度方向磁化时或瓦型磁铁在径向磁化时,获取所述旋转位移传感器测量所述待测物的Bx分布强度值、By分布强度值、Bz分布强度值;
运算子单元,用于随机选取所述Bx分布强度值、By分布强度值、Bz分布强度值中的任意两个分布强度值进行第二反正切运算,并基于第二反正切运算结果与所述待测物的旋转位移位置和所述待测物的旋转角度进行一一对应,确定所述待测物的旋转位移位置以及所述待测物的旋转角度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市信威电子有限公司,未经深圳市信威电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210996711.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。