[发明专利]过压保护电路、方法及电源系统在审
申请号: | 202210971598.3 | 申请日: | 2022-08-12 |
公开(公告)号: | CN115207876A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 刘洋;刘艳;张筱敏;王卫;王晓伟 | 申请(专利权)人: | 苏州汇川控制技术有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H7/18 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 方法 电源 系统 | ||
1.一种过压保护电路,其特征在于,所述过压保护电路包括:
电压监控电路,用于在检测到电压检测点过压时,向晶闸管输出晶闸管门控信号,所述晶闸管门控信号用于控制所述晶闸管导通;
第一电阻和第二电阻,所述第一电阻和所述第二电阻串联连接于直流供电端与电源控制芯片的供电端之间,所述直流供电端用于在晶闸管导通时为所述晶闸管提供维持电流,以确保所述晶闸管可靠导通;
晶闸管,所述晶闸管的阴极接地,晶闸管的阳极连接于所述第一电阻和所述第二电阻的中点;
储能模块,所述储能模块的第一端接地,所述储能模块的第二端连接所述第一电阻和所述第二电阻的中点,所述储能模块用于在所述晶闸管导通时通过所述晶闸管放电,以切断所述电源控制芯片的供电端的供电输出。
2.如权利要求1所述过压保护电路,其特征在于,所述储能模块包括二极管和储能单元,
所述储能单元的第一端接地,所述储能单元的第二端连接所述二极管的正极以及电源控制芯片的供电端;
所述二极管的负极连接于所述第一电阻和所述第二电阻的中点。
3.如权利要求2所述过压保护电路,其特征在于,在所述晶闸管可靠导通时,所述储能单元用于通过所述晶闸管和所述二极管进行放电;在所述晶闸管未可靠导通时,所述储能单元用于基于所述电源控制芯片的供电端的供电输出储能。
4.如权利要求1所述过压保护电路,其特征在于,所述电压监控电路包括过压检测电路和光耦,
所述过压检测电路用于在检测到电压检测点发生过压时,向所述光耦输出光耦控制信号,其中,所述光耦控制信号为低电平信号;
所述光耦用于在接收到所述光耦控制信号时导通,向所述晶闸管输出所述晶闸管门控信号,其中,所述晶闸管门控信号为高电平信号。
5.如权利要求4所述过压保护电路,其特征在于,所述过压检测电路包括比较器和参考电源,
所述参考电源用于向所述比较器输出参考电压信号;
所述比较器的负输入端与电压检测点连接,所述比较器的正输入端与所述参考电源的输出端连接,所述比较器的输出端与所述光耦连接,所述比较器用于比较所述电压检测点的电压信号和所述参考电压信号,在确定所述电压检测点过压时生成所述光耦控制信号。
6.一种过压保护方法,其特征在于,应用于如权利要求1-5中任一项所述的过压保护电路,所述过压保护方法包括:
在检测到电压检测点过压时,向晶闸管输出晶闸管门控信号,其中,所述晶闸管门控信号用于控制所述晶闸管导通;
通过直流供电端为所述晶闸管提供维持电流,其中,所述维持电流用于维持所述晶闸管可靠导通;
在所述晶闸管可靠导通时,切断所述电源控制芯片的供电端的供电输出。
7.如权利要求6所述过压保护方法,其特征在于,所述储能模块包括二极管和储能单元,所述过压保护方法还包括:
在所述晶闸管可靠导通时,控制所述储能单元通过所述二极管以及所述晶闸管放电,切断所述电源控制芯片的供电端的供电输出;
在所述晶闸管未可靠导通时,通过所述电源控制芯片的供电端的供电输出为所述储能单元进行储能充电。
8.如权利要求6所述过压保护方法,其特征在于,所述电压监控电路包括过压检测电路和光耦,所述在检测到电压检测点过压时,向晶闸管输出晶闸管门控信号,包括:
若通过所述过压检测电路检测到电压检测点过压,则通过所述过压检测电路向所述光耦输出光耦控制信号,其中,所述光耦控制信号为低电平信号;
依据所述光耦控制信号控制所述光耦导通,生成所述晶闸管门控信号,其中,所述晶闸管门控信号为高电平信号。
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