[发明专利]一种纳米压印硬模的制备方法在审
| 申请号： | 202210970422.6 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115356893A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 郭培亮;李莹;吾晓;张玉良;饶轶 | 申请（专利权）人： | 歌尔光学科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王永亮 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市高新区清池街*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 压印 制备 方法 | ||
1.一种纳米压印硬模的制备方法，其特征在于，包括：
提供压印片，所述压印片具有胶层，所述胶层形成有第一光栅槽，所述第一光栅槽形成设定纹路；
对所述第一光栅槽进行修饰，以形成修饰槽，所述修饰槽的宽度大于所述第一光栅槽的宽度，所述修饰槽的深度等于所述第一光栅槽的深度；
在所述修饰槽上镀薄膜层，以形成第二光栅槽，所述薄膜层的硬度大于所述胶层的硬度，所述第二光栅槽的尺寸与所述第一光栅槽的尺寸相同，所述第二光栅槽形成所述设定纹路。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述胶层的材料为UV型纳米压印胶。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一光栅槽进行修饰，以形成修饰槽，包括：
通过反应离子束刻蚀工艺对所述第一光栅槽进行修饰。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一光栅槽进行修饰，以形成修饰槽中，
所述修饰槽的宽度与所述第一光栅槽的宽度之比为1.2:1至1.5:1。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述修饰槽上镀薄膜层，以形成第二光栅槽，包括：
通过原子层薄膜沉积工艺在所述修饰槽上镀薄膜层。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述薄膜层的材料为二氧化硅或二氧化钛。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述修饰槽上镀薄膜层，以形成第二光栅槽后，还包括：
对所述薄膜层进行表面活化处理。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
通过等离子清洗工艺对所述薄膜层进行表面活化处理。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在对所述薄膜层进行表面活化处理后，还包括：
在所述薄膜层上涂覆抗粘层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
所述抗粘层的材料为含氟类低表面能有机物。
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