[发明专利]一种电驱动空气槽结构的氮化物微盘激光器及其制备方法在审
申请号: | 202210968442.X | 申请日: | 2022-08-12 |
公开(公告)号: | CN115296140A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 朱刚毅;冀宝剑;何丝情;马迪;田沐霏 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;H01S5/10;H01S5/343 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 210003 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 空气 结构 氮化物 激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种电驱动空气槽结构的氮化物微盘激光器,其特征是,所述激光器以硅基氮化镓为载体,包括从下至上依次设置的硅衬底层(1)、缓冲层(2)、u型氮化镓层(3)、n型氮化镓层(4)、量子阱层(5)和p型氮化镓层(6),
所述n型氮化镓层(4)上设有n型电极(8),所述p型氮化镓层(6)设置有p型电极(7);
所述量子阱层(5)的周部设有空气槽结构。
2.根据权利要求1所述的一种电驱动空气槽结构的氮化物微激光器,其特征是,所述n型氮化镓层(4)的周部刻蚀有台阶结构,所述n型氮化镓层(4)包括下台阶层和上台阶层;
所述n型电极(8)为环形电极,设置于下台阶层的上边缘处。
3.根据权利要求2所述的一种电驱动空气槽结构的氮化物微盘激光器,其特征是,所述硅衬底层(1)、缓冲层(2)、u型氮化镓层(3)、下台阶层、上台阶层、量子阱层(5)、p型氮化镓层(6)和p型电极(7)的横截面均为圆形。
4.根据权利要求3所述的一种电驱动空气槽结构的氮化物微盘激光器,其特征是,所述p型氮化镓层(6)的半径与上台阶层的半径相等,均大于所述量子阱层(5)的半径,从而形成空气槽结构。
5.根据权利要求3所述的一种电驱动空气槽结构的氮化物微盘激光器,其特征是,所述p型电极(7)的半径小于p型氮化镓层(6)的半径;
所述上台阶层的半径小于下台阶层的半径;
所述缓冲层(2)、u型氮化镓层(3)、下台阶层的半径相等,均小于所述硅衬底层(1)的半径。
6.一种电驱动空气槽结构的氮化物微盘激光器的制备方法,其特征是,包括如下步骤:
获取晶片,其中,所述晶片包括由下至上设置的硅衬底层(1)、缓冲层(2)、u型氮化镓层(3)、n型氮化镓层(4)、量子阱层(5)和p型氮化镓层(6);
采用ICP刻蚀技术,分别刻蚀所述晶片直至硅衬底层(1)的上表面和n型氮化镓层(4)上,使得n型氮化镓层(4)的周部形成一个台阶结构;
在所述晶片的上表面旋涂光刻胶,然后采用光学光刻技术在旋涂的光刻胶层上分别定义p型电极区域和n型电极区域;
采用电子束蒸镀技术在晶片表面上蒸镀金属电极,根据所述p型电极区域和n型电极区域去除残留的光刻胶,从而得到p型电极(7)和n型电极(8);
采用光化学刻蚀技术,横向刻蚀所述量子阱层(5),得到空气槽结构。
7.根据权利要求6所述的一种电驱动空气槽结构的氮化物微盘激光器的制备方法,其特征是,所述采用ICP刻蚀技术,分别刻蚀所述晶片直至硅衬底层(1)的上表面和n型氮化镓层(4)上,具体步骤如下:
在所述晶片的上表面旋涂光刻胶,然后采用光学光刻技术在旋涂的光刻胶层上定义第一区域;
采用ICP刻蚀技术,根据所述第一区域向下刻蚀直至硅衬底层(1)的上表面;
在所述晶片的上表面重新旋涂光刻胶,然后采用光学光刻技术在旋涂的光刻胶层上定义第二区域;
采用ICP刻蚀技术,根据所述第二区域向下刻蚀直至n型氮化镓层(4)上,使得n型氮化镓层(4)的周部形成一个台阶结构。
8.根据权利要求6所述的一种电驱动空气槽结构的氮化物微盘激光器的制备方法,其特征是,所述金属电极的材质包括镍合金。
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