[发明专利]支承单元和包括该支承单元的基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

腔室，在所述腔室的内部具有处理空间；

支承单元，所述支承单元被配置为在所述处理空间中支承基板；

气体供应单元，所述气体供应单元被配置为将气体供应到所述处理空间中；和

等离子体源，所述等离子体源被配置为从所述气体生成等离子体，

其中，所述支承单元还包括：

支承板，所述基板定位在所述支承板上；

环组件，所述环组件围绕所述支承板的周围；和

电压施加单元，所述电压施加单元被配置为通过向所述环组件施加电压来控制所述等离子体到所述基板上的入射角，

其中，所述电压施加单元包括：

导电材料的底板；

直流电源，所述直流电源被配置为向所述底板施加所述电压；和

多个连接体，所述多个连接体设置在所述支承板的外部并且连接所述底板和所述环组件，且

其中，所述底板具有环形状并且与所述支承板的下侧间隔开。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述环组件包括：

聚焦环，所述聚焦环围绕定位在所述支承板上的所述基板；和

绝缘材料的下环，所述下环围绕所述支承板并设置在所述聚焦环的下方。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述环组件还包括：

环形电极，所述环形电极设置在所述下环内，

其中，所述电压施加单元向所述环形电极施加所述电压。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个连接体由导电材料形成。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个连接体以相同间隔彼此间隔开。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述底板包括：

连接件，所述连接件设置在所述底板的侧表面上，且

其中，所述直流电源连接至所述底板的所述连接件。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述电压施加单元还包括：

直流滤波器，所述直流滤波器被配置成中断来自由所述直流电源供应的电压的特定射频频率RF。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述直流滤波器包括电感器和电容器。

9.一种用于在等离子体处理腔室中支承基板的支承单元，所述支承单元包括：

支承板，所述基板定位在所述支承板上；

环组件，所述环组件围绕所述支承板的周围；和

电压施加单元，所述电压施加单元被配置为通过向所述环组件施加电压来控制等离子体到所述基板上的入射角，且

其中，所述电压施加单元还包括：

导电材料的底板；

直流电源，所述直流电源被配置为向所述底板施加所述电压；和

多个连接体，所述多个连接体设置在所述支承板的外部并且连接所述底板和所述环组件，并且所述多个连接体由导电材料形成，且

其中，所述底板具有环形状并且与所述支承板的下侧间隔开。

10.根据权利要求9所述的支承单元，其中，所述环组件包括：

聚焦环，所述聚焦环围绕定位在所述支承板上的所述基板；和

绝缘材料的下环，所述下环围绕所述支承板并设置在所述聚焦环的下方。

11.根据权利要求10所述的支承单元，其中，所述环组件还包括：

环形电极，所述环形电极设置在所述下环内，

其中，所述电压施加单元向所述环形电极施加所述电压。

12.根据权利要求9所述的支承单元，其中，所述多个连接体以相同间隔彼此间隔开。