[发明专利]一种超宽带悬置薄膜衰减器有效
申请号: | 202210926510.6 | 申请日: | 2022-08-03 |
公开(公告)号: | CN115084811B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 戴佳良;刘畅;金曙晨 | 申请(专利权)人: | 成都威频科技有限公司 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
代理公司: | 成都诚中致达专利代理有限公司 51280 | 代理人: | 杨春;曹宇杰 |
地址: | 611730 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽带 悬置 薄膜 衰减器 | ||
一种超宽带悬置薄膜衰减器,包括位于上下空气腔之间的基板、设于基板顶面的一对压合带、一对方阻、输入微带线和输出微带线;压合带对称设于基板顶面两侧;输入微带线和输出微带线间隔且对称布置,并位于压合带之间,且输入微带线和输出微带线侧边与压合带内侧边之间具有预定间距;方阻对称设置并垂直于压合带,方阻包括位于所述间隔处的第一部段以及与第一部段连接并位于所述预定间距处的第二部段,一对方阻的第一部段相距预定距离,第一部段的一侧连接输入微带线,另一侧连接输出微带线,第二部段连接到压合带。通过悬置方式设置,侧面压合固定,中间等效Π衰方阻的方式实现DC~40G的超宽带3dB衰减器,有较高的衰减精度和良好的驻波性能。
技术领域
本申请属于射频微波无源器件技术领域,涉及一种应用于射频微波电路中的超宽带悬置薄膜衰减器。
背景技术
衰减器作为无源器件常应用于现代射频微波领域中,扮演着十分重要的角色,其作用为调节输入信号电平且不使信号发生畸变,微带薄膜衰减器主要通过电阻性薄膜材料吸收功率转化为热量来实现衰减。
目前的薄膜衰减器,多采用实物衬底,比如CN105098305A中采用了高阻硅作为衬底,又比如CN113268912A中采用了GaAs(砷化镓)作为衬底。这种实物衬底在特殊的应用中有一定的局限性,比如薄膜衰减器在机械衰减器模块中的部分应用,输入输出簧片需要在不同衰减量的薄膜衰减器之间切换,则实物衬底的方案不能满足该场景的应用。
发明内容
为了解决上述相关现有技术针对不同场景的应用局限性,本申请提供一种超宽带悬置薄膜衰减器,通过悬置方式设置,侧面压合固定,以空气作为衬底,中间等效Π衰方阻的方式实现DC~40G的超宽带3dB衰减器,有较高的衰减精度和良好的驻波性能。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术:
一种超宽带悬置薄膜衰减器,包括位于上空气腔和下空气腔之间的基板、以及设于基板顶面的一对压合带、一对方阻、输入微带线和输出微带线;
压合带对称设于基板顶面两侧;
输入微带线和输出微带线间隔且对称布置,并位于压合带之间,且输入微带线和输出微带线侧边与压合带内侧边之间具有预定间距;
方阻对称设置并垂直于压合带,方阻包括位于所述间隔处的第一部段以及与第一部段连接并位于所述预定间距处的第二部段,一对方阻的第一部段相距预定距离,第一部段的一侧连接输入微带线,另一侧连接输出微带线,第二部段连接到压合带。
进一步,第一部段的宽度大于第二部段的宽度。
进一步,衰减器置于金属腔体内,金属腔体两侧壁设有凹陷槽,基板两侧装配于凹陷槽,压合带部分区域与凹陷槽内壁抵触并电导通,基板以上的金属腔体内区域为上空气腔,基板以下的金属腔体内区域为下空气腔。
进一步,压合带、输入微带线和输出微带线表面镀金。
本发明有益效果在于:
区别于现有技术的薄膜衰减器,本方案通过简单结构进行悬置方式设置,使基板和压合带处于上下空气腔之间,且利用基板和压合带凸出于空气腔的部分实现与金属腔体的悬置装配和接地,通过方阻的位置及形状设置,中间等效Π衰方阻,最终实现DC~40G的超宽带3dB衰减器,有较高的衰减精度和良好的驻波性能,还突破了现有技术对特殊应用场景的局限性。
附图说明
图1是本申请实施例的超宽带悬置薄膜衰减器立体透视图。
图2是本申请实施例的超宽带悬置薄膜衰减器基板立体图。
图3是图2中的A部放大视图。
图4是本申请实施例的超宽带悬置薄膜衰减器基板俯视图。
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