[发明专利]一种IGBT性能测试工装在审
申请号: | 202210924908.6 | 申请日: | 2022-08-03 |
公开(公告)号: | CN115166299A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 诸建周;谈益民;吕文生 | 申请(专利权)人: | 江苏东海半导体股份有限公司 |
主分类号: | G01R1/02 | 分类号: | G01R1/02;G01R1/04;G01R31/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 性能 测试 工装 | ||
本发明属于IGBT测试技术领域,具体的说是一种IGBT性能测试工装,包括测试座;所述测试座的表面中部设置有承载座;所述承载座的内部开设有装配槽;所述装配槽的数量设置多个,且呈圆周阵列设置在承载座的内部;每个所述装配槽的内部均滑动连接有母排座;所述承载座的外表面转动连接有转动轴;所述转动轴远离承载座的一侧与外界驱动电机的输出端相连接;所述测试座的外表面滑动连接有调试架;设置了多个装配槽,所以承载座会带动不同位置处的装配槽和不同的母排座转动至靠近调试架的一侧,从而能够根据所需母排座的测试模块而进行自动调节,进而能够对不同规格的IGBT样品进行测试,使用范围广泛,提高了IGBT样品的测试效率。
技术领域
本发明属于IGBT测试技术领域,具体的说是一种IGBT性能测试工装。
背景技术
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
公开号为CN213750180U的一项中国专利公开了用于多规格IGBT性能测试的测试工装,包括支撑杆、工作台、测试装置和输送平台,所述工作台固定在所述支撑杆的上端面上,所述测试装置和所述输送平台均固定在所述工作台的上端面,所述测试装置上设有连接电笔、电笔放置杆、连接板和控制装置,所述电笔放置杆和所述连接板均位于所述测试装置的右端面上,两个所述连接电笔通过螺旋电线分别缠绕在两个所述电笔放置杆上,两个所述连接电笔均通过电线连接所述测试装置,所述控制装置固定在所述连接板的右端部位的下端面上,所述控制装置通过电线连接所述测试装置、所述输送平台的输送电机。该申请装置方便大规模IGBT样品性能测试,节省人力。
在现有技术中,一般只是简单的使用输送板来对IGBT样品进行输送,但是不同规格封装的IGBT样品需要使用不同的母排模块来进行检测,在对不同的母排模块进行调节时较为麻烦,影响了对IGBT样品的正常检测。
为此,本发明提供一种IGBT性能测试工装。
发明内容
为了弥补现有技术的不足,解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:本发明所述的一种IGBT性能测试工装,包括测试座;所述测试座的表面中部设置有承载座;所述承载座的内部开设有装配槽;所述装配槽的数量设置多个,且呈圆周阵列设置在承载座的内部;每个所述装配槽的内部均滑动连接有母排座;所述承载座的外表面转动连接有转动轴;所述转动轴远离承载座的一侧与外界驱动电机的输出端相连接;所述测试座的外表面滑动连接有调试架;所述测试座的表面开设有与调试架相适配的柱型槽;在现有技术中,一般只是简单的使用输送板来对IGBT样品进行输送,但是不同规格封装的IGBT样品需要使用不同的母排模块来进行检测,在对不同的母排模块进行调节时较为麻烦,影响了对IGBT样品的正常检测;工作时,在对IGBT样品进行检测时,将IGBT样品放置在装配槽中的母排座中,之后工作人员通过调节调试架,将调试架移动至母排座的正上方,之后通过调试架中电子测试板便可对母排座中的IGBT样品进行正常性能测试,此处为现有技术,在本实施例中不作多余赘述;同时通过外界驱动电机带动转动轴和承载座转动,使承载座呈一定角度的转动,由于设置了多个装配槽,所以承载座会带动不同位置处的装配槽和不同的母排座转动至靠近调试架的一侧,从而能够根据所需母排座的测试模块而进行自动调节,进而能够对不同规格的IGBT样品进行测试,使用范围广泛,提高了IGBT样品的测试效率。
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