[发明专利]一种可调谐窄线宽半导体激光器

权利要求书

1.一种可调谐窄线宽半导体激光器，包括激光器(1)，其特征在于：所述激光器(1)的输入、输出端均镀有抗反膜(2)，其输出的激光通过直波导(3)耦合且进入到微环外腔(4)内，且与微环耦合，所述微环用于谐振一部分激光并将其散射返回到所述激光器(1)内，当返回激光的频率满足锁定条件时，形成自注入锁定，所述微环外腔(4)可调节其频率，使微环外腔(4)与激光器(1)的频率差处于自注入锁定的范围内。

2.根据权利要求1所述的一种可调谐窄线宽半导体激光器，其特征在于：所述微环和所述直波导(3)设置在所述微环外腔(4)内，所述微环外腔(4)与所述激光器(1)具有间隙。

3.根据权利要求1所述的一种可调谐窄线宽半导体激光器，其特征在于：所述激光器(1)为单模激光器、分布反馈激光器或分布式布拉格反射器激光器。

4.根据权利要求1所述的一种可调谐窄线宽半导体激光器，其特征在于：所述微环为硅基薄膜铌酸锂微环、硅微环、氮化铝微环或氮化硅微环。

5.根据权利要求1所述的一种可调谐窄线宽半导体激光器，其特征在于：所述微环外腔(4)通过电光效应调制，或通过热效应进行热光调制。

6.根据权利要求1所述的一种可调谐窄线宽半导体激光器，其特征在于：所述自注入锁定的范围通过以下公式确定：

其中f_d为模式间隔，α为线宽增强因子，I₀为原激光器注入的光功率，I₁为注入激光器注入的光功率，Δω为原激光器激光的频率和注入激光器激光频率的差值，当所述激光器(1)在该频率范围内进行扫描时，所述激光器(1)被注入锁定。

7.根据权利要求1所述的一种可调谐窄线宽半导体激光器，其特征在于：所述微环位于微环谐振腔(6)内，所述直波导(3)将激光耦合进所述微环谐振腔(6)内，其耦合方式为直接耦合或透镜耦合。