[发明专利]刻蚀仿真模型的构建方法在审
| 申请号: | 202210917600.9 | 申请日: | 2022-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN116467992A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
| 发明(设计)人: | 卢俊勇 | 申请(专利权)人: | 先进半导体材料(安徽)有限公司 |
| 主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F30/398;G06T7/00;G06T7/13 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
| 地址: | 239004 安徽省滁州市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 刻蚀 仿真 模型 构建 方法 | ||
1.一种刻蚀仿真模型的构建方法,其特征在于,包括:
提供包含t组参数组的初始刻蚀概率卷积模型,任一参数组包括相应的等效特征距离和归一化权重系数,所述t是自然数;
提供v个矩形的第一光刻设计图案,各所述第一光刻设计图案的尺寸不同,v是自然数,且v≥2t;
基于v个所述第一光刻设计图案对样本进行刻蚀,形成相应的v个第一刻蚀凹槽;
测量v个所述第一刻蚀凹槽,获取相应的v个第一刻蚀轮廓的尺寸;
根据v个所述第一光刻设计图案的尺寸和v个所述第一刻蚀轮廓的尺寸,获取对应的v组刻蚀偏差尺寸;
跟据所述初始刻蚀概率卷积模型、v个所述第一光刻设计图案的尺寸、以及v组所述刻蚀偏差尺寸,获取隐式拟合增量迭代模型;
根据所述隐式拟合增量迭代模型,进行若干次增量迭代处理,获取刻蚀概率阈值的值、以及所述t组参数组的值;
将所述t组参数组的值代入所述初始刻蚀概率卷积模型,形成刻蚀概率卷积模型;
基于所述刻蚀概率卷积模型、以及所述刻蚀概率阈值的值,构建二维刻蚀仿真模型。
2.如权利要求1所述的刻蚀仿真模型的构建方法,其特征在于,跟据所述初始刻蚀概率卷积模型、v个所述第一光刻设计图案的尺寸、以及v组所述刻蚀偏差尺寸,获取隐式拟合增量迭代模型的方法包括:
根据所述初始刻蚀概率卷积模型、以及v个所述第一光刻设计图案的尺寸,获取与每个第一光刻设计图案对应的解析解方程组,所述解析解方程组中包含刻蚀概率阈值;
基于v组所述刻蚀偏差尺寸、以及v个所述第一光刻设计图案对应的v个解析解方程组进行隐式拟合处理,获取所述隐式拟合增量迭代模型。
3.如权利要求2所述的刻蚀仿真模型的构建方法,其特征在于,v个所述第一光刻设计图案中,任一第一光刻设计图案的尺寸包括所述任一第一光刻设计图案的长度Wx和宽度Wy;
v个所述第一刻蚀轮廓的尺寸中,任一第一刻蚀轮廓的尺寸包括:所述任一第一刻蚀轮廓的长度Wx′和宽度Wy′;
v组所述刻蚀偏差尺寸中,任一组刻蚀偏差尺寸包括长度偏差和宽度偏差,并且,第i组的长度偏差第i组的宽度偏差所述Wxi′是第i个第一刻蚀轮廓的长度Wx′,所述Wxi是第i个第一光刻设计图案的长度Wx,所述Wyi′是第i个第一刻蚀轮廓的宽度Wy′,所述Wyi是第i个第一光刻设计图案的宽度Wy,所述i是自然数,且i≤v。
4.如权利要求3所述的刻蚀仿真模型的构建方法,其特征在于,v个所述第一光刻设计图案中,包括多个具有相同长度Wx且沿宽度Wy的尺寸方向排布的第一光刻设计图案,所述多个具有相同长度Wx且沿宽度Wy的尺寸方向排布的第一光刻设计图案分别具有不同的宽度Wy,并且,所述多个具有相同长度Wx且沿宽度Wy的尺寸方向排布的第一光刻设计图案在宽度Wy的尺寸方向上具有相同的间距。
5.如权利要求3所述的刻蚀仿真模型的构建方法,其特征在于,根据所述初始刻蚀概率卷积模型、以及v个所述第一光刻设计图案的尺寸,获取与每个第一光刻设计图案对应的解析解方程组,并且,每组所述参数组对应1个以上所述解析解方程组,其中,第i个第一光刻设计图案对应的解析解方程组为:
所述h是自然数,且所述h≤t,所述nh是第h组参数组中的归一化权重系数,所述σh是第h组参数组中的等效特征距离,所述erf代表误差函数,所述D0是所述刻蚀概率阈值,所述是对应第i组的长度偏差Sxi的计算长度偏差,所述是对应第i组的宽度偏差Syi的计算宽度偏差。
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