[发明专利]刻蚀仿真模型的构建方法在审
| 申请号: | 202210917599.X | 申请日: | 2022-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN116467991A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
| 发明(设计)人: | 卢俊勇 | 申请(专利权)人: | 先进半导体材料(安徽)有限公司 |
| 主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F30/398;G06T7/00;G06T7/13 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
| 地址: | 239004 安徽省滁州市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 刻蚀 仿真 模型 构建 方法 | ||
1.一种刻蚀仿真模型的构建方法,其特征在于,包括:
获取二维刻蚀仿真模型;
提供若干第一光刻图案组,每个第一光刻图案组包括多个呈阵列排布的第一光刻设计图案,并且,不同第一光刻图案组的第一光刻设计图案的尺寸不同;
基于若干个第一光刻图案组对样本进行刻蚀,形成相应的若干第一样本组,每个第一样本组包括多个第一刻蚀凹槽;
对若干第一样本组进行检测,获取若干检测位置对应的若干检测数据,所述检测数据包括检测位置的位置数据和刻蚀深度;
根据若干第一光刻图案组、二维刻蚀仿真模型和若干检测位置,获取若干指定目标仿真位置对应的若干指定仿真数据,所述指定目标仿真位置是与所述检测位置对应的目标仿真位置,所述指定仿真数据包括所述指定目标仿真位置的位置数据和刻蚀概率;
根据若干检测数据、若干指定仿真数据和二维刻蚀仿真模型,构建三维刻蚀仿真模型。
2.如权利要求1所述的刻蚀仿真模型的构建方法,其特征在于,所述二维刻蚀仿真模型中包含刻蚀概率阈值D0的值D′0;
根据所述若干检测数据、所述若干指定仿真数据和所述二维刻蚀仿真模型,构建三维刻蚀仿真模型的方法包括:
对若干检测位置对应的若干检测数据进行插值处理,获取若干插值检测位置、以及各插值检测位置的插值位置数据和插值刻蚀深度;
对若干指定目标仿真位置对应的若干指定仿真数据进行插值处理,获取与若干插值检测位置具有相同插值位置数据的若干插值指定目标仿真位置、以及各插值指定目标仿真位置的插值刻蚀概率;
关联具有相同插值位置数据的插值刻蚀深度和插值刻蚀概率,获取若干插值数据组;
对若干插值数据组进行拟合,获取目标仿真位置的仿真刻蚀深度z与刻蚀概率d(x,y)之间的刻蚀深度拟合模型z(x,y)=G[d(x,y)],所述G代表所述z(x,y)和d(x,y)之间的函数关系;
根据所述刻蚀深度拟合模型z(x,y)=G[d(x,y)]和所述二维刻蚀仿真模型,构建三维刻蚀仿真模型:
3.如权利要求1所述的刻蚀仿真模型的构建方法,其特征在于,获取二维刻蚀仿真模型的方法包括:
提供包含t组参数组的初始刻蚀概率卷积模型,任一参数组包括相应的等效特征距离和归一化权重系数,所述t是自然数;
提供v个矩形的第二光刻设计图案,各所述第二光刻设计图案的尺寸不同,v是自然数,且v≥2t;
基于v个所述第二光刻设计图案对样本进行刻蚀,形成相应的v个第二刻蚀凹槽;
测量v个所述第二刻蚀凹槽,获取相应的v个第二刻蚀轮廓的尺寸;
根据v个所述第二光刻设计图案的尺寸和v个所述第二刻蚀轮廓的尺寸,获取对应的v组刻蚀偏差尺寸;
跟据所述初始刻蚀概率卷积模型、v个所述第二光刻设计图案的尺寸、以及v组所述刻蚀偏差尺寸,获取隐式拟合增量迭代模型;
根据所述隐式拟合增量迭代模型,进行若干次增量迭代处理,获取刻蚀概率阈值的值、以及所述t组参数组的值;
将所述t组参数组的值代入所述初始刻蚀概率卷积模型,形成刻蚀概率卷积模型;
基于所述刻蚀概率卷积模型、以及所述刻蚀概率阈值的值,构建二维刻蚀仿真模型。
4.如权利要求3所述的刻蚀仿真模型的构建方法,其特征在于,跟据所述初始刻蚀概率卷积模型、v个所述第二光刻设计图案的尺寸、以及v组所述刻蚀偏差尺寸,获取隐式拟合增量迭代模型的方法包括:
根据所述初始刻蚀概率卷积模型、以及v个所述第二光刻设计图案的尺寸,获取与每个第二光刻设计图案对应的解析解方程组,所述解析解方程组中包含刻蚀概率阈值;
基于v组所述刻蚀偏差尺寸、以及v个所述第二光刻设计图案对应的v个解析解方程组进行隐式拟合处理,获取所述隐式拟合增量迭代模型。
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