[发明专利]模拟系统和计算机可读记录介质

说明书

提供了一种模拟系统。该模拟系统包括处理器，以及存储模拟程序的存储装置，该模拟程序在由处理器执行时使处理器使用有限差分法(FDM)来计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据，基于计算的热能数据使用有限元法(FEM)计算模拟域随时间的温度改变数据和计算模拟域随时间的相改变数据，并使用计算的温度改变数据和计算的相改变数据来计算模拟域的硅损失。

技术领域

一些示例实施例涉及模拟系统和/或计算机可读记录介质。

背景技术

随着半导体变得高度集成和小型化，设计和/或制造半导体设备的每个步骤中的因素以复杂的方式起作用，并且半导体设备可能具有各种非预期的电特性。因此，半导体行业对技术计算机辅助设计(TCAD)工艺-设备模拟环境的需求正在增加，以克服半导体工艺和设备的限制、了解现象和/或降低实验的成本(例如，制造中实验(in-fab experiment))。替选地或附加地，为了提供半导体设备的准确产品规格，有必要/期望通过估计其特性来模拟半导体设备。

发明内容

一些示例实施例提供了一种用于为半导体设备提供改进的产品可靠性的模拟系统。

替选地或附加地，一些示例实施例提供了一种计算机可读记录介质，该计算机可读记录介质包括用于为半导体设备提供改进的产品可靠性的模拟程序。

根据一些示例实施例，提供了一种模拟系统，包括处理器和非暂时性计算机可读介质，该非暂时性计算机可读介质配置为存储模拟程序，模拟程序在由处理器执行时使处理器：使用有限差分法(FDM)计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据，基于计算的热能数据使用有限元法(FEM)计算模拟域随时间的温度改变数据并计算模拟域随时间的相改变数据，并且使用计算的温度改变数据和计算的相改变数据来计算模拟域的硅损失。

根据一些示例实施例，提供了一种模拟系统，包括处理器和非暂时性计算机可读介质，该非暂时性计算机可读介质配置为存储模拟程序，其中，当执行模拟程序时，处理器将模拟域划分为非结构化网格，使用有限差分法(FDM)计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据，将非结构化网格的参数插值到结构化网格的参数中，通过有限元法(FEM)使用结构化的网格的参数，基于热能数据计算模拟域随时间的温度改变数据和相改变数据，并且使用温度改变数据和相改变数据计算模拟域的硅损失。

根据一些示例实施例，提供了一种非暂时性计算机可读记录介质，包括用于计算在模拟域中形成的空洞的数量和由空洞导致的模拟域的缺陷概率的模拟程序，其中，模拟程序包括：用于通过有限差分法(FDM)使用存储在张量网格中的参数计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据的计算机可读指令；用于将存储在张量网格中的参数插值到要存储在四面体网格中的参数中的计算机可读指令；用于通过有限元法(FEM)使用计算的热能数据和存储在四面体网格中的参数来计算模拟域的温度改变数据和相改变数据的计算机可读指令；用于使用计算的温度改变数据和计算的相改变数据来计算模拟域的硅损失的计算机可读指令；以及用于使用计算的硅损失来分析在模拟域中形成的空洞的数量以及由空洞导致的模拟域的缺陷概率的计算机可读指令。

应当注意，各种示例实施例的目的不限于上述目的，并且未描述的其他目的对于本领域普通技术人员来说从以下描述中将是清晰的。

附图说明

图1是用于说明根据一些示例实施例的模拟的关于半导体设备退火的示例流程图。

图2是用于描述根据一些示例实施例的模拟系统的图。

图3是用于描述根据一些示例实施例的模拟系统的操作的流程图。

图4是用于描述根据一些示例实施例的模拟系统的光学分析模块和热分析模块的操作的流程图。

图5和图6是用于描述根据一些示例实施例的模拟系统的光学分析模块和热分析模块使用的网格的图。

图7是用于描述根据一些示例实施例的模拟系统的Si损失计算模块的操作的流程图。