[发明专利]模拟系统和计算机可读记录介质

权利要求书

1.一种模拟系统，包括：

处理器；和

存储装置，被配置为存储模拟程序，所述模拟程序在由所述处理器执行时使所述处理器：

使用有限差分法FDM计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据，

基于计算的热能数据，使用有限元法FEM计算模拟域随时间的温度改变数据并计算模拟域随时间的相改变数据，并且

使用计算的温度改变数据和计算的相改变数据来计算模拟域的硅损失。

2.根据权利要求1所述的模拟系统，其中，所述模拟程序在由所述处理器执行时使所述处理器使用张量网格来计算所述热能数据。

3.根据权利要求1所述的模拟系统，其中，所述模拟程序在由所述处理器执行时使所述处理器使用四面体网格来计算所述温度改变数据或所述相改变数据。

4.根据权利要求1所述的模拟系统，其中，所述FDM包括有限差分时域FDTD方法。

5.根据权利要求1所述的模拟系统，其中，所述模拟程序还被配置为使所述处理器将在计算热能数据期间使用的FDM中所使用的参数线性插值到在计算温度改变数据或相改变数据期间使用的FEM中所使用的参数中。

6.根据权利要求1所述的模拟系统，其中，所述模拟程序还被配置为使所述处理器通过将计算的硅损失应用于误差函数来分析在模拟域中形成的空洞。

7.根据权利要求6所述的模拟系统，其中，所述模拟程序被配置为使所述处理器对在模拟域中形成的空洞的数量进行计数。

8.根据权利要求6所述的模拟系统，其中，所述模拟程序被配置为使所述处理器计算由在模拟域中形成的空洞导致的模拟域的缺陷概率。

9.根据权利要求6所述的模拟系统，其中，所述模拟程序被配置为使所述处理器将分析在模拟域中形成的空洞的结果作为数值输出。

10.根据权利要求1所述的模拟系统，其中，所述模拟域包括：

包括硅的衬底；

所述衬底上的金属区域；和

所述衬底上的绝缘区域，

其中，所述硅损失包括从所述衬底扩散到所述金属区域中的硅的量和从所述衬底扩散到所述绝缘区域中的硅的量之和。

11.根据权利要求1所述的模拟系统，其中，所述模拟域包括不对称结构。

12.一种模拟系统，包括：

处理器；和

存储装置，被配置为存储模拟程序，

其中，当执行所述模拟程序时，所述处理器将模拟域划分为非结构化网格，

使用有限差分法FDM计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据，

将所述非结构化网格的参数插值到结构化网格的参数中，

通过有限元法FEM使用结构化的网格的参数，基于所述热能数据计算模拟域随时间的温度改变数据和相改变数据，并且

使用所述温度改变数据和所述相改变数据计算模拟域的硅损失。

13.根据权利要求12所述的模拟系统，其中，所述非结构化网格包括四面体网格，并且

所述结构化网格包括张量网格。

14.根据权利要求12所述的模拟系统，其中，所述处理器被配置为执行所述模拟程序以使用有限差分时域FDTD方法来计算所述热能数据。

15.根据权利要求12所述的模拟系统，其中，当执行所述模拟程序时，所述处理器使用所述硅损失来计算在模拟域中形成的空洞的数量以及由所述空洞导致的模拟域的缺陷概率。