[发明专利]太阳能电池及光伏组件

说明书

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底、依次设置在基底背表面的隧穿层、掺杂导电层、钝化膜以及穿透钝化膜与掺杂导电层形成接触的电极；掺杂导电层包括交替排列的p型掺杂层和n型掺杂层；p型掺杂层包括第一掺杂层，且第一掺杂层远离基底的一侧与钝化膜接触；n型掺杂层包括第二掺杂层，且第二掺杂层远离基底的一侧与钝化膜接触；电极包括穿透钝化膜与第一掺杂层形成接触的第一电极，以及穿透钝化膜与第二掺杂层形成接触的第二电极。本申请实施例提供的太阳能电池，能够提升太阳能电池的钝化效果，提高电池转换效率。

技术领域

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

背景技术

光伏组件常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。

随着太阳能电池技术的不断发展，金属接触区域的复合损失成为制约太阳能电池转换效率进一步提高的重要因素之一。为了提高太阳能电池的转换速率，常通过钝化接触来对太阳能电池进行钝化，以降低太阳能电池体内和表面的复合。交叉指式背接触(Interdigitated Back Contact，IBC)电池因正面无金属电极，正负电极交叉排列在背面，有效地解决了正面金属电极对光的遮挡，能够有效地提高短路电流密度和电池效率。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种太阳能电池及光伏组件，提升太阳能电池的钝化效果，提高电池转换效率。

为解决上述问题，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底、依次设置在基底背表面的隧穿层、掺杂导电层、钝化膜以及穿透钝化膜与掺杂导电层形成接触的电极；掺杂导电层包括交替排列的p型掺杂层和n型掺杂层；p型掺杂层包括位于p型掺杂层内部的第一掺杂层，且第一掺杂层远离基底的一侧与钝化膜接触；n型掺杂层包括位于n型掺杂层内部的第二掺杂层，且第二掺杂层远离基底的一侧与钝化膜接触；电极包括穿透钝化膜与第一掺杂层形成接触的第一电极，以及穿透钝化膜与第二掺杂层形成接触的第二电极。

另外，p型掺杂层和第一掺杂层均包括相同的第一掺杂元素，且第一掺杂元素在第一掺杂层中的掺杂浓度大于第一掺杂元素在p型掺杂层中的掺杂浓度。

另外，第一掺杂元素在第一掺杂层中的掺杂浓度与第一掺杂元素在p型掺杂层中的掺杂浓度的比值为1.2～10。

另外，第一掺杂元素在第一掺杂层中的掺杂浓度为5×10¹⁸atom/cm³～1×10²¹atom/cm³。

另外，n型掺杂层和第二掺杂层均包括相同的第二掺杂元素，且第二掺杂元素在第二掺杂层中的掺杂浓度大于第二掺杂元素在n型掺杂层中的掺杂浓度。

另外，第二掺杂元素在第二掺杂层中的掺杂浓度与第二掺杂元素在n型掺杂层中的掺杂浓度的比值为1.2～20。

另外，第二掺杂元素在第二掺杂层中的掺杂浓度为5×10¹⁹atom/cm³～2×10²¹atom/cm³。

另外，p型掺杂层和第一掺杂层均包括相同的第一掺杂元素，且第一掺杂层还包括第三掺杂元素；n型掺杂层和第二掺杂层均包括相同的第二掺杂元素，且第二掺杂层还包括第三掺杂元素。

另外，第三掺杂元素包括碳、氮、氧中的一种或多种。