[发明专利]电压电平移位器过渡时间缩短

说明书

本申请涉及电压电平移位器过渡时间缩短。一种电平移位器接收第一功率域中的输入信号并生成第二功率域中的对应输出信号。所述输出信号的过渡时间在从低到高过渡期间可比在从高到低过渡期间更长，或反之亦然。所述电平移位器可提供两个输出，其中所述两个输出中的一个在从高到低过渡期间具有较短的过渡时间，而另一个输出在从低到高过渡期间具有较短的过渡时间。通过对所述第二输出使用反相器，以不同的过渡时间生成两个非反转输出。使用斜坡选择电路在所述第一输出与反转的第二输出之间进行选择。所述斜坡选择电路选择具有最短过渡时间的输出。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及电压电平移位器，且更具体地，涉及用于缩短电平移位器的输出电压电平之间的过渡时间的系统和方法。

背景技术

电平移位器接收具有第一电压范围的输入信号，并生成具有第二电压范围的输出信号。由于传统电平移位器电路的设计，输出信号的电压电平之间的过渡时间是不对称的。

发明内容

在一个方面，本申请提供一种半导体装置，其包括：电平移位器，其：接收第一功率域中的输入；提供第二功率域中的第一输出；和提供所述第二功率域中的第二输出；以及斜坡选择电路，其：接收来自所述电平移位器的所述第一输出和所述第二输出作为输入；反转所述第二输出；和提供所述第一输出和反转的第二输出中的一个作为所述斜坡选择电路的输出。

在另一方面，本申请提供一种方法，其包括：通过电平移位器接收第一功率域中的输入；通过所述电平移位器提供第二功率域中的第一输出；通过所述电平移位器提供所述第二功率域中的第二输出；通过斜坡选择电路接收来自所述电平移位器的所述第一输出和所述第二输出作为输入；通过所述斜坡选择电路反转所述第二输出；以及通过所述斜坡选择电路提供所述第一输出和反转的第二输出中的一个作为输出。

在另一方面，本申请提供一种存储器装置，其包括：第一组件，其在第一功率域中工作；存储器阵列，其在第二功率域中工作；以及电平移位器组件，其连接到所述第一组件，所述电平移位器组件包括：第一反相器，其在所述第一功率域中工作并耦合到所述第一组件的输出；第一晶体管，其耦合到所述第一组件的所述输出和所述电平移位器组件的第一输出，所述电平移位器组件的所述第一输出在所述第二功率域中工作；和第二晶体管，其耦合到所述第一反相器的输出和所述电平移位器组件的第二输出，所述电平移位器组件的所述第二输出在所述第二功率域中工作；以及斜坡选择组件，其连接到所述电平移位器组件和所述存储器阵列，所述斜坡选择组件包括：第二反相器，其耦合到所述电平移位器组件的所述第二输出；一或多个逻辑门，其在所述电平移位器组件的所述第一输出和所述第二反相器的输出之间进行选择；以及将所选输出提供到所述存储器阵列。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。然而，图式不应视为将本公开限制于具体实施例，而是仅用于解释和理解。

为容易地识别对任何特定元件或动作的论述，附图标记中的一个或多个最高有效数字指的是首次介绍所述元件的图号。

图1是根据各种实施例的实例DRAM装置的示意图。

图2是包含适于减少多层级NAND单元的编程验证的存储器装置的实例系统的框图。

图3大体示出根据实施例的电平移位器的实例。

图4大体示出根据实施例的实例电平移位器电路。

图5大体示出根据实施例的实例电平移位器电路。

图6示出根据实施例的耦合到电平移位器的斜坡减小电路的实例。

图7示出根据实施例的实例输入、输出和中间波形。

图8是根据本公开的一些实施例的流程图，示出在执行电压电平过渡时间缩短时由电路执行的方法的操作。

图9是根据一些实例实施例的框图，示出配置集成电路的系统的部件。