[发明专利]存储设备和操作存储设备的方法在审
申请号: | 202210882852.2 | 申请日: | 2022-07-26 |
公开(公告)号: | CN115952027A | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 吴银珠;昔浚荣;宋英杰;张炳哲 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯;倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 设备 操作 方法 | ||
1.一种存储设备,包括:
非易失性存储器件,所述非易失性存储器件包括存储单元阵列,其中,所述存储单元阵列包括:
多条字线,堆叠在衬底上,
多个存储单元,设置在沿相对于所述衬底的竖直方向延伸的多个沟道孔中,以及
字线切割区,在第一水平方向上延伸并且将所述多条字线划分为多个存储块;以及
存储控制器,被配置为控制所述非易失性存储器件,
其中,所述存储控制器被配置为基于耦接到目标字线的多个目标存储单元中的每个目标存储单元的位置索引,将所述多个目标存储单元分组为外部单元和内部单元,
其中,所述外部单元与所述字线切割区之间的距离小于所述内部单元与所述字线切割区之间的距离,
其中,所述存储控制器包括纠错码ECC解码器,所述ECC解码器被配置为通过以下操作对ECC扇区执行ECC解码操作:
获得在对所述多个目标存储单元的读取操作期间从所述ECC扇区中的外部单元读取的外部单元比特以及在所述读取操作期间从所述ECC扇区中的内部单元读取的内部单元比特;以及
将不同的对数似然比LLR值应用于所述外部单元比特和所述内部单元比特。
2.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述ECC解码器还被配置为:
将第一组LLR值应用于所述外部单元比特;以及
将第二组LLR值应用于所述内部单元比特。
3.根据权利要求2所述的存储设备,其中,所述第一组LLR值的第一数量大于所述第二组LLR值的第二数量。
4.根据权利要求2所述的存储设备,其中,所述存储控制器还被配置为将所述目标存储单元分组为布置在所述外部单元与所述内部单元之间的中间单元,并且
其中,所述ECC解码器还被配置为将第三组LLR值应用于从所述中间单元读取的中间单元比特。
5.根据权利要求2所述的存储设备,其中,所述存储控制器还被配置为基于所述字线切割区与所述外部单元中的每个外部单元的距离或所述字线切割区与所述内部单元中的每个内部单元之间的距离,将所述每个外部单元和所述每个内部单元分组为至少两个组;并且
其中,所述ECC解码器被配置为将不同的LLR值应用于所述至少两个组。
6.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述ECC解码器被配置为通过将不同的LLR间隔应用于所述外部单元比特和所述内部单元比特来对所述ECC扇区执行软判决解码。
7.根据权利要求6所述的存储设备,其中,所述ECC解码器被配置为在所述不同的LLR间隔中的LLR间隔期间,将第一LLR值应用于所述外部单元比特,并且将第二LLR值应用于所述内部单元比特,并且
其中,所述第一LLR值的绝对值小于所述第二LLR值的绝对值。
8.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述多条字线包括多个NAND串,并且所述多个NAND串中的每个NAND串包括堆叠在所述竖直方向上的堆叠的存储单元;并且
其中,所述存储控制器还包括被配置为控制所述ECC解码器的处理器。
9.根据权利要求8所述的存储设备,其中,所述处理器被配置为将单个位置索引应用于所述多个NAND串中的至少两个NAND串,其中,所述至少两个NAND串共享所述多个沟道孔中的沟道孔。
10.根据权利要求8所述的存储设备,其中,所述处理器被配置为将不同的位置索引应用于所述多个NAND串中的每个NAND串。
11.根据权利要求8所述的存储设备,其中,所述处理器被配置为将单独的位置索引应用于所述多个存储块中的每个存储块。
12.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述存储控制器还包括处理器,所述处理器被配置为控制所述ECC解码器将所述不同的LLR值应用于所述多条字线的一部分。
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