[发明专利]平面内切换模式的薄膜晶体管液晶显示器及制备方法在审

专利信息
申请号: 202210880911.2 申请日: 2022-07-26
公开(公告)号: CN115167043A 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 李良彬;韩雪晴;安敏芳;崔昆朋 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/137;G02F1/1335;G02F1/13363
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴梦圆
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 平面 切换 模式 薄膜晶体管 液晶显示器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种平面内切换模式的薄膜晶体管液晶显示器,包括:

第一偏振结构;

液晶单元,设置于所述第一偏振结构的一侧表面上,所述液晶单元内部填充有正介电各向异性或负介电各向异性的液晶,所述液晶的光轴位于与所述第一偏振结构所在的平面平行的平面中,且所述液晶单元的光轴与所述第一偏振结构的吸收轴平行;

NRZ型双轴延迟膜,设置于所述液晶单元上;

第二偏振结构,设置于所述NRZ型双轴延迟膜上,所述第二偏振结构的吸收轴与所述第一偏振结构的吸收轴垂直;

背光源,设置于所述第一偏振结构远离所述液晶单元的一侧或者设置于所述第二偏振结构远离所述NRZ型双轴延迟膜的一侧;

其中,在电场作用下,所述液晶在与所述第一偏振结构所在的平面平行的平面中转动,所述NRZ型双轴延迟膜的光轴与所述第二偏振结构的吸收轴垂直,所述NRZ型双轴延迟膜的平面内延迟值与所述液晶的延迟值的和为所述背光源波长的整数倍,并且,在550nm波长处,所述NRZ型双轴延迟膜的平面内延迟值在50nm~350nm的范围。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器,其中,所述NRZ型双轴延迟膜的主体材料为纤维素酯。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器,其中,所述第一偏振结构包括:

第一保护膜;

第一偏振片,设置于所述第一保护膜上;

第二保护膜,设置于所述第一偏振片上,所述第二保护膜设置于所述第一偏振片与所述液晶单元之间。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管液晶显示器,其中,所述第一保护膜和所述第二保护膜沿各自厚度方向的延迟值为零。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管液晶显示器,其中,所述第一保护膜和所述第二保护膜的材料选自未拉伸的纤维素酯、环烯烃和聚降冰片烯中的一种。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器,其中,

所述第二偏振结构包括:

第三保护膜,设置于所述NRZ型双轴延迟膜上;

第二偏振片,设置于所述第三保护膜上;

第四保护膜,设置于所述第二偏振片上;

优选的,所述第三保护膜、第四保护膜沿各自厚度方向的延迟值为零;

优选的,所述第三保护膜和所述第四保护膜的材料选自未拉伸的纤维素酯、环烯烃和聚降冰片烯中的一种。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器,其中,所述第二偏振结构包括:

第二偏振片,设置于所述NRZ型双轴延迟膜上;

第四保护膜,设置于所述第二偏振片上。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管液晶显示器,其中,所述第四保护膜的材料选自包括未拉伸的纤维素酯、环烯烃和聚降冰片烯中的一种;

优选的,所述第四保护膜沿厚度方向的延迟值为零。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器,其中,在550nm波长处所述液晶单元的延迟值在200nm~400nm的范围。

10.如权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器的制备方法,包括:

在第一偏振结构上制作液晶单元;

在所述液晶单元上制作NRZ型双轴延迟膜;

在所述NRZ型双轴延迟膜上制作第二偏振结构;

在所述第一偏振结构远离所述液晶单元的一侧或者在所述第二偏振结构远离所述NRZ型双轴延迟膜的一侧制作背光源;

其中,所述NRZ型双轴延迟膜的平面内延迟值与所述液晶的延迟值的和为所述背光源波长的整数倍,并且,在550nm波长处,所述NRZ型双轴延迟膜的平面内延迟值在50nm~350nm的范围。

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