[发明专利]一种高精度氮氧传感器陶瓷芯片

权利要求书

1.一种高精度氮氧传感器陶瓷芯片，包括从上而下依次叠压的第一层氧化锆基片、第二层氧化锆基片、第三层氧化锆基片、第四层氧化锆基片、第五层氧化锆基片、第六层氧化锆基片，其特征在于：第三层氧化锆基片和第四层氧化锆基片之间叠压有第一氧化铝膜片，第一层氧化锆基片上表面设置有带有保护层的外电极，外电极正下方第二层氧化锆基片上表面加工有凹槽一与第一层氧化锆基片形成上狭缝a、下表面加工有凹槽二与第三层氧化锆基片形成下狭缝b，上狭缝a和下狭缝b与外界空气相连通，上狭缝a与下狭缝b之间第二层氧化锆基片上加工有与上狭缝a与下狭缝b相连通的气体缓冲腔k、第一反应腔j、第二反应腔h、过渡腔c，第一反应腔j内设置有第一内电极，第二反应腔h内设置有第二内电极，位于过渡腔c正下方第三层氧化锆基片和第一氧化铝膜片上加工有测量通道g、第四层氧化锆基片上加工有测量腔室f，过渡腔c通过测量通道g与测量腔室f相连通，测量腔室f内第五层氧化锆基片上表面设置有测量电极，测量电极的一侧第四层氧化锆基片上密封设置有参比电极，参比电极贴在第五层氧化锆基片上表面且与第四层氧化锆基片之间设置有绝缘层，参比电极的一侧第四层氧化锆基片上加工有与外界空气相连通的参比通道d，第五层氧化锆基片和第六层氧化锆基片之间设置有加热电极绝缘层，加热电极绝缘层内设置有加热电极。

2.根据权利要求1所述高精度氮氧传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述加热电极绝缘层为两层第二氧化铝膜片，所述两层第二氧化铝膜片叠压在第五层氧化锆基片和第六层氧化锆基片之间。

3.根据权利要求2所述高精度氮氧传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述第二氧化铝膜片的厚度为30～50um。

4.根据权利要求1所述高精度氮氧传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述第五层氧化锆基片上加工有与参比通道d相连通的应力释放通道e。

5.根据权利要求1所述高精度氮氧传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述绝缘层为多孔氧化铝层。

6.根据权利要求1所述高精度氮氧传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述第一氧化铝膜片的厚度为15～30um。

7.根据权利要求1所述高精度氮氧传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述外电极的保护层为多孔氧化铝层。

8.根据权利要求1所述高精度氮氧传感器陶瓷芯片，其特征在于：所述上狭缝a的宽度为8～15um，所述下狭缝b的宽度为10～20um。