[发明专利]一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件及其制备方法

权利要求书

1.一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在镀有透明导电层的玻璃基板上进行刻划，按照设计的图案划分透明导电层；

(2)在步骤(1)所述的透明导电层之上沉积一层电子传输层；

(3)在步骤(2)所述的电子传输层之上沉积一层硒化锑吸收层；

(4)在步骤(3)所述的硒化锑吸收层之上沉积一层空穴传输层；

(5)在步骤(4)得到的薄膜之上进行刻划，按照设计的图案划分电子传输层、硒化锑吸收层和空穴传输层；

(6)在步骤(5)得到的薄膜之上沉积一层背电极；

(7)在步骤(6)得到的薄膜之上进行刻划，按照设计的图案划分背电极。

2.根据权利要求1所述的一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的透明导电层为ITO膜或FTO膜。

3.根据权利要求1或2所述的一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层材料为硫化镉、氧化锌、氧化锡和二氧化钛的一种或多种；所述电子传输层材料沉积方法为水浴沉积法或溶胶凝胶法。

4.根据权利要求3所述的一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述沉积方法为真空热蒸发法，步骤(2)得到的衬底加热温度为300～340℃，蒸发设备的本底真空为4×10^-5～6×10^-5Pa；硒化锑粉末的蒸发速率为硒化锑薄膜的沉积厚度为350～450nm，沉积结束后在氮气氛围下，在350～400℃的条件下退火8～12min。

5.根据权利要求1、2或4所述的一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述的空穴传输层材料为Spiro-OMeTAD、P₃HT、氧化镍、氧化钒、硫化锰、硫化钼中的一种。

6.根据权利要求5所述的一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述的空穴传输层材料沉积方法为旋涂、热蒸发或刮涂。

7.根据权利要求6所述的一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，步骤(6)所述的背电极材料为金、银、铝、镍、铜中的一种。

8.根据权利要求6或7所述的一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，步骤(6)所述的背电极材料的沉积方法为真空热蒸发法，本底真空为4×10^-4～6×10^-4Pa，蒸发沉积背电极时薄膜不加热，沉积速率为沉积厚度为50～70nm。

9.权利要求1～8任一项所述的制备方法制备得到的大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件。