[发明专利]一种新型OLED器件薄膜封装结构的制备方法

权利要求书

1.一种新型OLED器件薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在玻璃基板上涂布一层柔性衬底，然后在柔性衬底上制备OLED器件；

步骤二、在步骤一的基础上，在玻璃基板上的AA区边缘设置用于限定薄膜封装层区域的隔离柱，然后在绑定区和非薄膜封装覆盖区打印厚度低于所述隔离柱的保护隔离层，并且在所述隔离柱和保护隔离层之间预留出剥离间隙；

步骤三、在步骤二的基础上整面性成膜形成第一无机隔离层，然后再在封装区域打印一层有机缓冲层，接着再整面性沉积第二无机隔离层，其中第一无机隔离层和第二无机隔绝层均覆盖在所述保护隔离层上；

步骤四、通过激光将所述保护隔离层碳化剥离，露出绑定区域和非薄膜封装区域，最后剥离柔性衬底，将柔性器件与玻璃基板分离，得到所需要的带有薄膜封装结构的柔性OLED器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述隔离柱通过IJP机台打印得到。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述隔离柱的高度为2μm～4μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述有机缓冲层在基板上的投影面积不小于所述OLED器件的面积，但不大于所述第一无机隔离层的投影面积。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一层无机隔离层和第二层无机隔绝层的材料为SiNx，ALN或SiNC，厚度范围为0.6μm～1μm。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于：所述第一层无机隔离层和第二层无机隔绝层材料和厚度均一样，并且均覆盖在保护隔离层上。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述保护隔离层为PI膜，其厚度范围为0.5μm～2μm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述剥离间隙的宽度为间隙为2μm～6μm。