[发明专利]在温和水溶液环境下制备H-SiO2 有效
| 申请号: | 202210856947.7 | 申请日: | 2022-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN115159860B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 张晶;贺金币;王腾飞;周朝彪;李庆宏 | 申请(专利权)人: | 贵州民族大学 |
| 主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34;C04B41/89 |
| 代理公司: | 重庆天成卓越专利代理事务所(普通合伙) 50240 | 代理人: | 谭春艳 |
| 地址: | 550025*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 温和 水溶液 环境 制备 sio base sub | ||
1.一种在温和水溶液环境下制备H-SiO2-VO2涂层的方法,其特征在于,按照如下步骤制备:
(1)制备H-SiO2胶体溶液,将PAA(聚丙烯酸)作为模板,再加入氨水、无水乙醇进行搅拌,待溶液充分搅拌溶解后加入正硅酸乙酯,持续搅拌之后密封储存备用; H-SiO2凝胶的PAA用量为0.01-0.05g/50ml乙醇,H-SiO2浓度为 0.015mol/L;氨水浓度为0.2mol/L,用量为1.5ml氨水/50ml乙醇;
(2)制备H-SiO2涂层,用提拉镀膜机将石英片固定,并浸没在H-SiO2溶液中,进行提拉,并在室温下进行固化,之后将表面浸有H-SiO2的石英片放入马弗炉进行煅烧;在马弗炉中煅烧的温度为400°C,时间120min;
(3)制备H-SiO2-VOSO4涂层,称量VOSO4溶于水中,待充分溶解后再加入与水等体积的无水乙醇进行搅拌,将上述经煅烧后的石英片浸入VOSO4溶液中进行提拉镀膜,之后放入鼓风干燥箱中进行干燥;
(4)制备H-SiO2-VO2前驱体涂层,称量NH4HCO3溶于水中,NH4HCO3 的浓度为0.2mol/L;将所得溶液倒入容器中,将H-SiO2-VOSO4涂层置于容器口上,将容器口进行密封,之后将此容器放于鼓风干燥箱中干燥, 待薄膜表面有明显白色痕迹时取出;
(5)热处理制备H-SiO2-VO2涂层,在惰性气体保护下,将所得薄膜放入管式炉内进行退火,退火参数:500°C、 60min,VO2 为M相。
2.根据权利要求1所述在温和水溶液环境下制备H-SiO2-VO2涂层的方法,其特征在于:步骤(3)中,VOSO4的浓度为0.2mol/L。
3.根据权利要求 2所述在温和水溶液环境下制备H-SiO2-VO2涂层的方法,其特征在于:步骤(5)中,所述惰性气体为氩气。
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