[发明专利]间隙和置换Sn掺杂的硫化铋材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种间隙和置换Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料的制备方法，其特征在于：以氯化铋、二水氯化亚锡和硫代乙酰胺为原料，通过水热反应生成。

2.根据权利要求1所述的间隙和置换Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料的制备方法，其特征在于：首先将氯化铋、二水氯化亚锡加入去离子水中，再加入适量盐酸，充分搅拌得到澄清溶液，将硫代乙酰胺加入上述溶液中，剧烈搅拌20分钟，然后将所得溶液置于聚四氟乙烯水热反应釜中，从室温升温至160℃，保温6小时，洗涤、干燥得到间隙和置换Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料。

3.根据权利要求2所述的间隙和置换Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料的制备方法，其特征在于：氯化铋与二水氯化亚锡的摩尔比为2-40:1。

4.根据权利要求2所述的间隙和置换Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料的制备方法，其特征在于：所使用的溶剂为去离子水。

5.根据权利要求2所述的间隙和置换Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料的制备方法，其特征在于：所使用的硫源为硫代乙酰胺，且硫代乙酰胺的终浓度为5.5-5.9 mmol/L。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法制得的间隙和置换Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料。

7.根据权利要求6所述的间隙和置换Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料，其特征在于：Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料中Sn与Bi的摩尔比为1/24。

8.根据权利要求6或7所述的间隙和置换Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料的应用，其特征在于：所述Sn⁴⁺掺杂的Bi₂S₃材料作为催化剂，在电催化二氧化碳还原中的应用。