[发明专利]一种工频与局部放电信号非接触同相位测量装置及方法在审
申请号: | 202210853833.7 | 申请日: | 2022-07-12 |
公开(公告)号: | CN115184751A | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 谭向宇;李文云;王达达;钱国超;徐肖伟 | 申请(专利权)人: | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人: | 黄劼 |
地址: | 650000 云南省昆*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 局部 放电 信号 接触 相位 测量 装置 方法 | ||
1.一种工频与局部放电信号非接触同相位测量装置,其特征在于,包括:
第一测量模块,用于对工频信号进行同相位非接触测量;所述第一测量模块包括第一极板和与其相连的低通同相位放大电路;
第二测量模块,用于对局部放电信号进行同相位非接触测量;所述第二测量模块包括第二极板和与其相连的高通同相位放大电路;
数据分析模块,分别与所述低通同相位放大电路和高通同相位放大电路相连,用于对工频信号及局部放电信号进行波形分析,得出局部放电类型。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述低通同相位放大电路,至少包括:低频放大器、低通滤波器及第一放大比例电路,其中,
所述第一极板通过所述低通滤波器与所述低频放大器的同向输入端连接;所述第一放大比例电路与所述低频放大器的反向输入端相连,还与所述低频放大器的输出端相连;
所述高通同相位放大电路,至少包括:高频放大器、高通滤波器及第二放大比例电路,其中,
所述第二极板通过所述高通滤波器与所述高频放大器的同向输入端连接;所述第二放大比例电路与所述高频放大器的反向输入端相连,还与所述高频放大器的输出端相连。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述低通同相位放大电路,包括:低频放大器,其中,
所述低频放大器的同向输入端通过第一电阻与所述第一极板相连,还通过并联的第二电阻与第一电容接地;所述低频放大器的反向输入端通过第三电阻接地,还通过第四电阻与所述低频放大器的输出端连接;所述低频放大器的输出端通过第五电阻与所述数据分析模块连接。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述高通同相位放大电路,包括:高频放大器,其中,
所述高频放大器的同向输入端通过第二电容与所述第二极板相连,还通过并联的第六电阻与第三电容接地;所述高频放大器的反向输入端通过第七电阻接地,还通过第八电阻与所述高频放大器的输出端连接;所述高频放大器的输出端通过第九电阻与所述数据分析模块连接。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述数据分析模块,包括:
与所述低频放大器输出端相连的通道1,所述通道1带宽为10kHz;
与所述高频放大器输出端相连的通道2,所述通道2模拟带宽为200MHz;
数据分析器,用于对通道1输入的工频信号和通道2输入的局部放电信号进行波形分析,得出局部放电类型。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,
所述高频放大器的放大倍数≤10倍。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述第一极板采用低频电场传感器;
所述第二极板采用天线传感器。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述第一极板与所述第二极板设置于待测区域的安全距离处。
9.一种工频与局部放电信号非接触同相位测量方法,其特征在于,包括:
对待测区域分别进行工频信号与局部放电信号的同相位非接触测量;
对同相位非接触测量到的信号进行波形分析,得出局部放电类型。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述对待测区域分别进行工频信号与局部放电信号的同相位非接触测量,包括:
利用第一极板感应所述工频信号变化电场,得到第一感应电流;
利用第二极板感应所述局部放电信号变化电场,得到第二感应电流;
根据所述第一感应电流与第二感应电流,得出第一感应电压与第二感应电压,用于进行波形分析。
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