[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片、制备方法及应用在审
申请号: | 202210853610.0 | 申请日: | 2022-07-11 |
公开(公告)号: | CN115093221A | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 朱惠祥;张独异;戴开彬 | 申请(专利权)人: | 广州凯立达电子股份有限公司;广州凯川达新材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622;G10K9/122;H01L41/187;H01L41/43 |
代理公司: | 广州熠辉专利代理事务所(普通合伙) 44796 | 代理人: | 李恒远 |
地址: | 510730 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 薄片 制备 方法 应用 | ||
1.一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1,按照化学通式(1-x)(KyNa1-y)Nb1-wSbwO3-x(Bi0.5Na0.5)ZrO3-z%Fe2O3的理论组成配比称重原料;
式中:x表示(Bi0.5Na0.5)ZrO3的摩尔分数;
y表示铌酸钾钠中钾的含量;
z表示Fe2O3的含量;
w表示锑的含量;
步骤2,将原料进行球磨、预合成,制成陶瓷预烧粉体;
步骤3,将预烧后的陶瓷粉体进行球磨后烘干;
步骤4,在步骤3中烘干后的陶瓷粉体中加入溶剂、分散剂、除泡剂充分混合;
步骤5,在步骤4中得到的浆料中称取一定量的粘结剂、增塑剂,进行二次球磨后流延;
步骤6,将流延后的膜片切割成小膜片,进行叠层轧膜;
步骤7,对步骤6中得到的膜片进行冲片;
步骤8,将步骤7冲好的圆片叠片,进行排胶,烧结,制得铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片。
2.根据权利要求1所述的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法,其特征在于:步骤1中,0.00x≤0.055,0.00y≤0.5,0.00z<0.5,0.00≤w<0.05;所述原料为含有K、Na、Nb、Bi、Zr、Fe、Sb七种元素的氧化物或碳酸盐。
3.根据权利要求1所述的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法,其特征在于:步骤2包括以下步骤:
步骤2a,将配置好的原料置于尼龙球磨罐中,加入无水乙醇作为分散剂,用行星球磨机球磨8h~24h,行星球磨机转速为100rpm~450rpm;
步骤2b,将球磨得到的浆料烘烤2h~3h;
步骤2c,在程序控温箱式炉中升温至800℃~900℃,保温4h~6h,得到陶瓷预烧粉体。
4.根据权利要求1所述的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法,其特征在于:步骤3包括以下步骤:
步骤3a,将陶瓷粉体置于尼龙球磨罐中,加入无水乙醇作为分散剂,用行星球磨机球磨8h~24h,行星球磨机转速为100rpm~450rpm;
步骤3b,将球磨得到的浆料烘烤2h~3h。
5.根据权利要求1所述的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法,其特征在于:步骤4中所述加入的溶剂为80wt%~90wt%酒精和乙酸乙酯、分散剂是0.5wt%~5wt%三乙醇胺、除泡剂是0.2wt%~0.6wt%磷酸三丁酯。
6.根据权利要求1所述的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法,其特征在于:步骤5中将加入的粘结剂是5wt%~10wt%的聚乙烯醇缩丁醛、增塑剂是1wt%~5wt%的邻苯二甲酸二辛酯。
7.根据权利要求1所述的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法,其特征在于:步骤5中流延后的膜片厚度在0.1mm~0.25mm;步骤7中圆冲片的直径在10mm~30mm。
8.根据权利要求1所述的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法,其特征在于:步骤8中排胶温度为500℃~700℃,烧结温度为1000℃~1200℃,烧结时间为3h~7h。
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