[发明专利]电极箔及其制造方法以及卷绕式电容器及其制造方法在审
申请号: | 202210852880.X | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN115050579A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 成田良幸;长原和宏;田中淳视;小野昭二 | 申请(专利权)人: | 日本贵弥功株式会社 |
主分类号: | H01G9/055 | 分类号: | H01G9/055;H01G9/15;H01G11/26;H01G11/84;H01G11/86 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明;黄健 |
地址: | 日本东京品*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 及其 制造 方法 以及 卷绕 电容器 | ||
1.一种电极箔,其特征在于,包含带状的箔,且
所述电极箔包括:
扩面部,形成于所述箔的表面,包含多个沟道状的凹坑;
芯部,是所述箔之中除了所述扩面部以外的剩余部分;
多个分割部,以对所述箔进行局部横切且不连续地延伸的方式在所述扩面部延伸,并以在将所述箔设为平坦的状态下为包含0在内的50μm以下的槽宽对所述扩面部进行分割;以及
电介质薄膜,形成于所述扩面部的表面、或者所述扩面部与所述分割部的表面,
所述分割部至少包含在中途分支者。
2.根据权利要求1所述的电极箔,其特征在于:
所述分割部至少连接或跨越多个所述沟道状的凹坑而形成。
3.根据权利要求1或2所述的电极箔,其特征在于:
所述多个沟道状的凹坑中的一部分凹坑贯通所述芯部。
4.根据权利要求1或2所述的电极箔,其特征在于:
所述分割部具有10μm以上且600μm以下的长度。
5.一种卷绕式电容器,其特征在于:
卷绕地包括如权利要求1至4中任一项所述的电极箔。
6.根据权利要求5所述的卷绕式电容器,其特征在于:
包括将所述电极箔卷绕而成的电容器元件,且
所述电容器元件在卷绕中心具有卷芯部,
所述电极箔被卷绕于所述卷芯部,
所述分割部至少形成于包含朝向所述卷芯部的卷绕起始在内的规定半径内的卷绕中心侧。
7.一种电极箔的制造方法,其特征在于,包括:
将包含多个沟道状的凹坑的扩面部形成于带状箔的表面的步骤;
使对所述扩面部进行分割的多个分割部以对所述箔进行局部横切且不连续地延伸的方式延伸,以在将所述箔设为平坦的状态下为包含0在内的50μm以下的槽宽延伸,且多个所述分割部中,使至少一部分的所述分割部至少在中途分支且延伸的步骤;以及
对所述箔进行化学转化处理,将电介质薄膜形成于所述扩面部的表面、或者所述扩面部与所述分割部的表面的步骤。
8.根据权利要求7所述的电极箔的制造方法,其特征在于:
所述分割部以10μm以上且600μm以下的长度延伸。
9.根据权利要求7或8所述的电极箔的制造方法,其特征在于:
在形成所述分割部之后,对所述箔进行所述化学转化处理。
10.根据权利要求7或8所述的电极箔的制造方法,其特征在于:
在形成所述扩面部之后,形成所述分割部之前,对所述箔进行所述化学转化处理。
11.根据权利要求10所述的电极箔的制造方法,其特征在于,进而包括如下步骤:
在形成所述分割部之后,对所述箔进行再化学转化处理。
12.一种卷绕式电容器的制造方法,其特征在于,包括:
元件形成步骤,通过对利用如权利要求7至11中任一项所述的制造方法所得的所述电极箔进行卷绕而形成电容器元件;
电解质形成步骤,在所述电容器元件中形成电解质;以及
老化步骤,使所述电容器元件老化,且
在通过所述电解质形成步骤而形成所述电解质之后进行所述老化步骤,或者在所述老化步骤之后通过所述电解质形成步骤而在经老化的所述电容器元件形成所述电解质。
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