[发明专利]一种超宽带正交极化双频平板天线

权利要求书

1.一种超宽带正交极化双频平板天线，其特征在于，包括第一极化结构、第二极化结构以及天线波导腔体（4）；所述第一极化结构和所述第二极化结构分别设置于所述天线波导腔体（4）的前后两侧；

所述第一极化结构上设有第一极化馈电结构，以及第一极化和第二极化的辐射缝隙，第一极化和第二极化的辐射缝隙正交设计；所述第一极化馈电结构上设置有上层微带线（1）以及第一馈电耦合缝隙，所述上层微带线（1）耦合所述第一馈电耦合缝隙，馈电到所述天线波导腔体（4）；所述第一极化结构包括上层微带基板（2）和上层微带背板（3），所述上层微带线（1）设置于所述上层微带基板（2）表面，所述上层微带基板（2）背面连接所述上层微带背板（3），所述上层微带背板（3）连接于所述天线波导腔体（4）上；所述第一馈电耦合缝隙、所述第一极化和第二极化的辐射缝隙均开设于所述上层微带背板（3）上；所述第一极化的辐射缝隙包括第一对称缝隙（3-1），所述第一对称缝隙（3-1）对称设置于所述第一馈电耦合缝隙的长度方向的两侧，且平行于所述第一馈电耦合缝隙；第二极化的辐射缝隙包括第二对称缝隙（3-2），所述第二对称缝隙（3-2）对称设置于所述第一馈电耦合缝隙的长度方向的两端，且垂直于所述第一馈电耦合缝隙；

所述第二极化结构上设有第二极化馈电结构；所述第二极化馈电结构上设置有下层微带线（7）以及第二馈电耦合缝隙，所述下层微带线（7）耦合所述第二馈电耦合缝隙，馈电到所述天线波导腔体（4）；所述第二极化结构包括下层微带基板（6）和下层微带背板（5），所述下层微带线（7）设置于所述下层微带基板（6）表面，所述下层微带基板（6）背面连接所述下层微带背板（5），所述下层微带背板（5）连接于所述天线波导腔体（4）；所述第二馈电耦合缝隙开设于所述下层微带背板（5）上。

2.如权利要求1所述的超宽带正交极化双频平板天线，其特征在于，所述第一对称缝隙（3-1）的两条缝隙的中点与所述第一馈电耦合缝隙的中点共线。

3.如权利要求1或2所述的超宽带正交极化双频平板天线，其特征在于，所述第二对称缝隙（3-2）的两条缝隙的中点与所述第一馈电耦合缝隙共线。

4.如权利要求1或2所述的超宽带正交极化双频平板天线，其特征在于，所述第一对称缝隙（3-1）较所述第二对称缝隙（3-2）长，且所述第二对称缝隙（3-2）位于所述第一对称缝隙（3-1）的两条缝隙之间。

5.如权利要求1所述的超宽带正交极化双频平板天线，其特征在于，所述上层微带基板（2）、上层微带背板（3）、天线波导腔体（4）、下层微带背板（5）和下层微带基板（6）均采用介电常数为2.2的材质制成。

6.如权利要求1或5所述的超宽带正交极化双频平板天线，其特征在于，所述天线波导腔体（4）的厚度为3毫米，所述第一极化结构和第二极化结构的厚度均为0.5毫米。