[发明专利]一种水性剥离液及其用途

说明书

本发明提供一种剥离液及其用途，属于液晶面板和半导体生产技术领域。所述剥离液包括抗蚀剂，烷醇胺，环状胺，有机酸，水溶性有机溶剂和水，所述抗蚀剂包括式I所示化合物。所述剥离液剥离效果好，且所述剥离液对金属腐蚀性小，可用于高精度液晶面板和半导体的光刻胶剥离。

技术领域

本发明属于液晶面板和半导体生产技术领域，具体涉及一种剥离液及其用途。

背景技术

光刻胶又称光致抗蚀剂，主要由感光树脂、增感剂和溶剂三种成分组成。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经曝光、显影、刻蚀、扩散、离子注入、金属沉积等工艺将所需的微细图形从掩模版转移至加工的基板上、最后通过去胶剥离液将未曝光部分余下的光刻胶清洗掉，从而完成整个图形转移过程。

现有技术中正性光刻胶和负性光刻胶通用的剥离液多为碱性，现有技术中的兼容性剥离液如CN106292209A中所述的，包含季铵类化合物、非季铵类水溶性溶剂、金属保护剂、防腐剂、表面活性剂、二元醇/醚类有机化合物、烷基吡咯烷酮。其中主要组分有机胺用于切断光刻胶中感光物质等长链不溶物。不加入金属保护剂的组合物，对于金属铝、铜具有明显的侵蚀作用，表面为金属表面变色发黑。常用的金属保护剂包括三唑类、糖醇类，金属保护剂的保护作用通常具有选择性，而且三唑类化合物对铜具有良好的抗蚀效果，水中溶解度较低，剥离处理后的基板经水冲洗，表面通常仍具有残留。

现有的水性剥离液主要成分为有机胺化合物、极性有机溶剂以及水，但现有的水性剥离液大都存在腐蚀金属层、光刻胶残留、使用寿命短、剥离效果差等问题。

因此，仍亟需一种能防止腐蚀金属层、清洗效果好，剥离性能好，寿命长的剥离液。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种剥离液及其用途。

第一方面，提供一种剥离液。

一种剥离液，其包括抗蚀剂，烷醇胺，环状胺，有机酸，水溶性有机溶剂和水，所述抗蚀剂包括式I所示化合物，

在一些实施例中，所述剥离液可以用于基板为铜、钼、铝、铜铝合金、钼铝合金或钼铜合金的光刻胶剥离。在一些实施例中，所述烷醇胺可以包括选自2-胺基乙醇、二乙醇胺、N-乙基胺基乙醇、N-甲基胺基乙醇、N-甲基二乙醇胺、二甲基胺基乙醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、1-胺基-2-丙醇及三乙醇胺中的至少一种。

在一些实施例中，所述水溶性有机溶剂可以包括选自乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单丁醚、四乙二醇单甲醚、四乙二醇二甲醚化合物中至少一种。在一些实施例中，所述水溶性有机溶剂为二乙二醇甲醚。

在一些实施例中，所述环状胺可以包括选自哌嗪、咪唑或哌啶中的至少一种。

在一些实施例中，所述有机酸可以包括选自苹果酸、抗坏血酸、乳酸、柠檬酸、衣康酸中的至少一种。

在一些实施例中，所述抗蚀剂还可以包括糖醇类抗蚀剂。

在一些实施例中，所述糖醇类抗蚀剂可以包括葡萄糖、山梨糖、木糖醇、甘露醇和山梨醇。

在一些实施例中，以所述剥离液的总质量计算，所述式I所示化合物的含量可以为1.0wt％-10.0wt％。在一些实施例中，以所述剥离液的总质量计算，所述式I所示化合物的含量为1.0wt％、2.0wt％、3.0wt％、4.0wt％、5.0wt％、6.0wt％、7.0wt％、8.0wt％、9.0wt％或10.0wt％。