[发明专利]写入均衡功能检测方法、装置、电子设备及存储介质在审
申请号: | 202210847468.9 | 申请日: | 2022-07-19 |
公开(公告)号: | CN115132241A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 赵北游 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C7/24 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张芳;臧建明 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 写入 均衡 功能 检测 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
本公开提供一种写入均衡功能检测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括:在写入均衡模式下,获取当前数据选通信号的上升沿与当前数据选通信号的上升沿到来之前最近的时钟信号的上升沿之间的偏移量;将偏移量与预设区间进行比较,并根据比较结果,确定预设输出数据信号;检测自当前数据选通信号的上升沿经过预设延迟时长后的时刻采集的实际输出数据信号;比较预设输出数据信号和实际输出数据信号,并根据比较结果获得写入均衡功能检测结果。本公开根据写入均衡功能调试时发出的数据选通信号的上升沿与其之前最近的时钟信号上升沿的相位差,预测输出数据;比较预测输出数据与实际输出数据,确定写入均衡功能是否正常,实现了自动检测。
技术领域
本公开涉及存储器技术领域,尤其涉及一种写入均衡功能检测方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
双倍速率(Double Data Rate,简称DDR)存储器上包括多个DRAM(Dynamic RandomAccess Memory,简称DRAM)芯片,由于多个DRAM芯片在存储器上的分布拓扑结构,可能会使得命令信号、时钟信号等控制信号与数据信号存在相位偏差,例如,DRAM的系统时钟(CK)与数据选通信号(DQS)存在相位偏差,进而影响数据的正确写入。因此,设计写入均衡(writeleveling)功能来补偿这些相位偏移。
在DDR存储器的设计、测试和使用中,都需要验证其写入均衡功能是否正常。如何对存储器的写入均衡功能进行检测是本领域亟待解决的问题。
发明内容
本公开提供一种写入均衡功能检测方法、装置、电子设备及存储介质,用以检测存储器的写入均衡功能。
根据一些实施例,本公开第一方面提供一种写入均衡功能检测方法,进入写入均衡模式;获取当前数据选通信号的上升沿与当前数据选通信号的上升沿到来之前最近的时钟信号的上升沿之间的偏移量;将偏移量与预设区间进行比较,并根据比较结果,确定预设输出数据信号;检测自当前数据选通信号的上升沿经过预设延迟时长后的时刻采集的实际输出数据信号;比较预设输出数据信号和实际输出数据信号,并根据比较结果获得写入均衡功能检测结果。一种可行的实施方式中,获取当前数据选通信号的上升沿与当前数据选通信号的上升沿到来之前最近的时钟信号的上升沿之间的偏移量,包括:确定当前数据选通信号的上升沿;获取写入均衡模式的启动命令至当前数据选通信号的上升沿之间的时间间隔;计算获得时间间隔除以时钟信号的时钟周期的余数,余数为偏移量。
一种可行的实施方式中,写入均衡模式下的每次均衡调试均发出一组数据选通信号,每组数据选通信号包括两个连续的数据选通信号;确定当前数据选通信号的上升沿,包括:确定当前次均衡调试下发出的一组数据选通信号中的第二个数据选通信号的上升沿,作为当前数据选通信号的上升沿。
一种可行的实施方式中,预设区间包括第一区间;第一区间的起点为自时钟信号的上升沿之后经过第一时长后对应的时刻;第一区间的终点为自时钟信号的上升沿之后经过第二时长后对应的时刻;其中,第一时长为写入均衡保持时长;第二时长为时钟信号的时钟周期的二分之一与写入均衡保持时长之差。
一种可行的实施方式中,将偏移量与预设区间进行比较,并根据比较结果,确定预设输出数据信号,包括:若偏移量落在第一区间,则预设输出数据信号为高电平。
一种可行的实施方式中,预设区间还包括第二区间;第二区间的起点为自时钟信号的上升沿之后经过第三时长后对应的时刻;第二区间的终点为自时钟信号的上升沿之后经过第四时长后对应的时刻;其中,第三时长为时钟信号的时钟周期的二分之一与写入均衡保持时长之和;第四时长为时钟信号的时钟周期与写入均衡保持时长之差。
一种可行的实施方式中,将偏移量与预设区间进行比较,并根据比较结果,确定预设输出数据信号,包括:若偏移量落在第二区间,则预设输出数据信号为低电平。
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