[发明专利]有机发光晶体管和显示装置在审
| 申请号： | 202210844723.4 | 申请日： | 2022-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN115188911A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 田禹;张娟;王鹏;卢天豪;李杨;靳倩;黄维;赵德江;孙倩 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李雪静 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光 晶体管 显示装置 | ||
1.一种有机发光晶体管，其特征在于，所述有机发光晶体管包括层叠设置栅极、栅绝缘层和发光层，所述发光层远离所述栅绝缘层的一侧设置有源极和漏极；
所述栅绝缘层包括光子晶体结构。
2.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述光子晶体结构包括层叠设置的至少两个第一介质层和至少一个第二介质层，所述第一介质层和第二介质层交替设置，所述发光层和所述栅极均和所述第一介质层相接触；
所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率。
3.根据权利要求2所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一介质层与所述第二介质层的层数之和小于等于9。
4.根据权利要求2所述的有机发光晶体管，其特征在于，形成所述第一介质层的材料包括ZrO2、Ta2O5、ZnO的任意一种；
形成所述第二介质层的材料包括Al2O3、MgO、SiO2、Si3N4、SiON的任意一种。
5.根据权利要求2所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一介质层的厚度为60-100nm；
所述第二介质层的厚度为45-55nm。
6.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述源极的长度、所述漏极的长度为100-200微米；
所述源极的宽度、所述漏极的宽度为20-40微米。
7.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述源极的厚度、所述漏极的厚度为
8.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，形成所述源极的材料、形成所述漏极的材料彼此独立的选自金、银、铜、铝、镁的至少一种。
9.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述光子晶体结构远离所述栅极的一侧。
10.根据权利要求9所述的有机发光晶体管，其特征在于，形成所述缓冲层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇的至少一种。
11.根据权利要求9所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述缓冲层的厚度为10-100nm。
12.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，形成所述发光层的材料包括噻吩类化合物。
13.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述发光层的厚度为50-100nm。
14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-13任一项所述的有机发光晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
