[发明专利]一种碲锌镉晶片的加工方法在审
| 申请号: | 202210841080.8 | 申请日: | 2022-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN115106882A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 邓波浪;李玉萍 | 申请(专利权)人: | 安徽承禹半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号: | B24B9/06 | 分类号: | B24B9/06;B24B37/04;B28D5/00;B24B57/02 |
| 代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 周东呈 |
| 地址: | 233000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 碲锌镉 晶片 加工 方法 | ||
本发明涉及本发明的实施例提出了碲锌镉晶片的加工方法,包括:步骤一、切片:将碲锌镉晶棒固定在切片设备上,由切片设备对碲锌镉晶棒进行切片;步骤二、研磨:根据待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸对碲锌镉切片的外径尺寸进行研磨处理;步骤三、倒角:对所得碲锌镉晶片的边缘进行倒角处理;步骤四、检测:对所得碲锌镉晶片的外径尺寸进行检测,检测结果与待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸对比;步骤五、抛光:对待加工成型的碲锌镉晶片进行化学机械抛光;其中,步骤一、步骤二、步骤三和步骤五均在低温环境下进行。通过本发明实施例的碲锌镉晶片的加工方法加工得到的碲锌镉晶片具有成型效果好,损坏数量少的优点。
技术领域
本发明涉及碲锌镉晶片加工技术领域,特别是涉及一种碲锌镉晶片的加工方法。
背景技术
碲锌镉(CZT)晶体是一种新型三元化合物半导体,由于其性能优异,具有较高的电阻率,较大的禁带宽度(随着掺杂锌含量的变化,禁带宽度从1.4eV至2.26eV连续变化),而对X射线及γ射线具有非常好的分别率,可用于天文、医学、军事等领域的各类探测器等器材中。同时,由于其结构与碲镉汞(MCT)及其匹配,因此是作为MCT最佳的衬底材料。
目前,CZT晶片的精密加工一般需要定向切片、倒角、研磨、抛光、清洗这五道工序。由于CZT属于软脆型材料,在晶片加工过程中,尤其是在最初的晶棒切片过程中,一旦造成崩边情况,后续就需花费大量的时间及额外的费用去改善、修复,这导致出片率低,效益低。
鉴于此,如何提高碲锌镉晶片的加工质量,降低损坏的概率是本领域技术人员亟需解决的技术难题。
发明内容
(1)要解决的技术问题
本发明实施例提供了一种碲锌镉晶片的加工方法,包括切片、研磨、倒角、检测和抛光,其中,切片、研磨、倒角和抛光均在低温环境下进行。本发明实施例能有效提高碲锌镉晶片的成型率,降低碲锌镉晶片技加工过程的损坏率。
(2)技术方案
本发明的实施例提出了一种碲锌镉晶片的加工方法,所述加工方法包括如下步骤:
步骤一、切片:将碲锌镉晶棒固定在切片设备上,由切片设备对碲锌镉晶棒进行切片,切片后所得碲锌镉切片的外径尺寸均大于待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸;
步骤二、研磨:根据待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸对碲锌镉切片的外径尺寸进行研磨处理,直至碲锌镉切片的外径尺寸达到待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸为止;
步骤三、倒角:对所得碲锌镉晶片的边缘进行倒角处理;
步骤四、检测:对所得碲锌镉晶片的外径尺寸进行检测,检测结果与待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸对比;若所得碲锌镉晶片的外径尺寸未达到待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸时则再进行步骤二处理,直至所得碲锌镉晶片的外径尺寸达到待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸为止;
步骤五、抛光:对待加工成型的碲锌镉晶片进行化学机械抛光;
其中,步骤一、步骤二、步骤三和步骤五均在低温环境下进行。
进一步地,所述碲锌镉晶棒在进行步骤一前在不高于-20℃环境中冷冻处理。
进一步地,所述加工方法还包括:步骤六、清洗:对经过抛光的待加工成型的碲锌镉晶片进行清洗。
进一步地,所述步骤一具体包括:配制切削液,然后加入碳化硅微晶颗粒混合均匀,得到砂浆;
将碲锌镉晶棒固定在在多线切割机上实施多线切割,切割线径0.01-0.2mm,进线速度10-100m/min,切割厚度100-500μm,切割线张力5-
10N;
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