[发明专利]参考时钟互补金属氧化物半导体(CMOS)输入缓冲器在审
| 申请号: | 202210839541.8 | 申请日: | 2022-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN115767298A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
| 发明(设计)人: | C·Q·吴;何雁莹;张唯一 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H04N25/76 | 分类号: | H04N25/76;H04N25/78 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 参考 时钟 互补 金属 氧化物 半导体 cmos 输入 缓冲器 | ||
本申请案涉及具有自校准及改进的静电放电ESD性能的参考时钟互补金属氧化物半导体CMOS输入缓冲器。在一个实施例中,图像传感器的参考时钟输入缓冲器包含施密特(Schmitt)触发器,其经配置以产生具有下降边缘及上升边缘的时钟信号。所述下降边缘及所述上升边缘由滞后电压分隔。所述施密特触发器包含多个输出开关及多个电压控制开关,其个别地耦合到所述多个输出开关中的个别输出开关[M2‑i]。通过选择性地切换所述多个电压控制开关中的至少一个电压控制开关,所述施密特触发器的所述下降边缘信号或所述上升边缘信号的电压可调整。
技术领域
本公开大体上涉及图像传感器的操作,且特定来说,涉及参考时钟输入缓冲器的改进性能。
背景技术
图像传感器已变得无处不在。它们广泛用于数字静态相机、手机、监控相机,以及医疗、汽车及其它应用。用于制造图像传感器的技术持续飞速发展。例如,对更高图像传感器分辨率及更低功耗的需求促使图像传感器进一步小型化并集成到数字装置中。
图像传感器像素产生基于由参考时钟信号提供的定时获取的电信号。在一些实施例中,参考时钟脉冲由基于互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管电路的输入缓冲器产生。然而,当电信号通过相对较长的印刷电路板(PCB)迹线或通过具有阻抗不匹配的柔性缆线从图像传感器像素传播时,电信号可产生涟波或斜率变化。信号涟波及斜率变化又使得难以选择界定时钟高状态与时钟低状态之间的边界的合适阈值。因此,需要改进的参考时钟信号的阈值确定的系统及方法。
发明内容
本公开的方面提供一种图像传感器的参考时钟输入缓冲器,其中所述参考时钟输入缓冲器包括:施密特触发器,其经配置以产生具有下降边缘及上升边缘的时钟信号,其中所述下降边缘及所述上升边缘由滞后电压分离,且其中所述施密特触发器包含多个输出开关;及多个电压控制开关,其个别地耦合到所述多个输出开关中的个别输出开关,其中可通过选择性地切换所述多个电压控制开关中的至少一个电压控制开关来调整所述施密特触发器的所述下降边缘信号或所述上升边缘信号的电压。
本公开的另一方面提供一种操作图像传感器的参考时钟输入缓冲器的方法,其中所述方法包括:通过施密特触发器产生具有下降边缘及上升边缘的时钟信号,其中所述下降边缘及所述上升边缘由滞后电压分离,且其中所述施密特触发器包含多个输出开关;及通过选择性地切换多个电压控制开关中的至少一个电压控制开关来调整所述施密特触发器的所述下降边缘信号或所述上升边缘信号的电压,其中所述多个电压控制开关的个别开关耦合到所述多个输出开关的个别输出开关。
附图说明
参考以下附图描述本发明的非限制性及非穷尽性实施例,其中除非另有指定,否则类似元件符号贯穿各种视图指代类似部分。
图1是根据本技术的实施例的实例图像传感器的图。
图2是根据本技术的实施例的参考时钟输入缓冲器的示意图。
图3A及3B是图2中所说明的参考时钟输入缓冲器的输出的曲线图。
图4是根据本技术的实施例的电压涟波的样本曲线图。
图5是根据本技术的实施例的抖动噪声的曲线图。
图6A及6B是根据本技术的实施例的参考时钟输入缓冲器的示意图。
图7是根据本技术的实施例的参考时钟输入缓冲器的Vih的统计分布的曲线图。
图8A是根据本技术的实施例的参考时钟输入缓冲器的示意图。
图8B是根据本技术的实施例的参考时钟输入缓冲器的示意图。
图9是根据本技术的实施例的参考时钟输入缓冲器的Vih的分布的曲线图。
图10是根据本技术的实施例的参考时钟输入缓冲器的示意图。
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