[发明专利]光电玻璃显示屏及工艺有效
申请号: | 202210838906.5 | 申请日: | 2022-07-18 |
公开(公告)号: | CN115249440B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 周伟 | 申请(专利权)人: | 武汉恩倍思科技有限公司 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G09G3/30 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 许美红 |
地址: | 430073 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 玻璃 显示屏 工艺 | ||
1.一种光电玻璃显示屏,其特征在于,包括玻璃基板,其上依次形成种子层和铜膜层,在铜膜层上印刷电路,在该电路上焊接多个发光显示单元,形成发光阵列;
每个发光显示单元包括驱动芯片和一组裸晶芯片,每组裸晶芯片包括红、绿、蓝中任意一种、两种或者三种裸晶发光芯片,呈品字型或者一字型排列;一个驱动芯片连接一组或者多组裸晶芯片;
每个发光显示单元上覆盖一层胶体,覆盖胶体后的每个裸晶发光芯片的发光角度大于等于160°;
印刷电路中电流的最大值影响印刷电路的铜箔宽度,为达到最大限度的通透度,根据以下电流函数计算电流I:
I = f(L,X,J),其中L指裸晶透明光电玻璃的亮度,X指像素点间距,J指晶元面积;
该电流函数中电流I与裸晶透明光电玻璃的亮度L和晶元面积J大小成正比,与像素点间距X成反比;
根据电流计算铜箔横截面S,再计算铜箔宽度W=E* S/d,其中d为铜箔厚度,E为像素点间距调整常数,若像素点间距小于2mm 时E为1.1,若等于2mm时E为1,若大于等于2mm时E为0.9。
2.根据权利要求1所述的光电玻璃显示屏,其特征在于,裸晶芯片与裸晶通过拉线焊接在定制化的焊盘上。
3.根据权利要求1所述的光电玻璃显示屏,其特征在于,相邻发光显示单元的间距小于等于5mm。
4.根据权利要求1所述的光电玻璃显示屏,其特征在于,种子层为铜膜纳米薄层。
5.根据权利要求1所述的光电玻璃显示屏,其特征在于,胶体采用改性环氧树脂和石墨扩散粉混合胶体。
6.根据权利要求5所述的光电玻璃显示屏,其特征在于,胶体工艺采用单点压模工艺,胶体形成水滴型光滑透镜。
7.一种光电玻璃显示屏的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在玻璃基板上依次形成种子层和铜膜层;
S2、在铜膜层上印刷电路;
S3、在该电路上焊接多个发光显示单元,形成发光阵列;每个发光显示单元包括驱动芯片和一组裸晶芯片,每组裸晶芯片包括红、绿、蓝中任意一种、两种或者三种裸晶发光芯片,呈品字型或者一字型排列;一个驱动芯片连接一组或者多组裸晶芯片;
S4、在每个发光显示单元上覆盖一层半圆形胶体,覆盖胶体后的每个裸晶发光芯片的发光角度大于等于160°;
S5、切割,形成成品并进行测试,合格后包装;
其中步骤S2中,印刷电路中电流的最大值影响印刷电路的铜箔宽度,为达到最大限度的通透度,根据以下电流函数计算电流I:
I = f(L,X,J),其中L指裸晶透明光电玻璃的亮度,X指像素点间距,J指晶元面积;
该电流函数中电流I与裸晶透明光电玻璃的亮度L和晶元面积J大小成正比,与像素点间距X成反比;
根据电流计算铜箔横截面S,再计算铜箔宽度W=E* S/d,其中d为铜箔厚度,E为像素点间距调整常数,若像素点间距小于2mm 时E为1.1,若等于2mm时E为1,若大于等于2mm时E为0.9。
8.根据权利要求7所述的光电玻璃显示屏的制作工艺,其特征在于,其中步骤S2具体为:电路中铜箔线条宽为50~200um。
9.根据权利要求7所述的光电玻璃显示屏的制作工艺,其特征在于,其中步骤S3具体为:用真空吸取的吸嘴吸取裸晶发光芯片放置在相应位置上,将玻璃基板过12温区氮气回流焊,将裸晶发光芯片加固焊接。
10.根据权利要求9所述的光电玻璃显示屏的制作工艺,其特征在于,取裸晶发光芯片时,采用X/Y坐标定位方式,将其固定于准确位置;吸嘴采用N个一组,一次提取N个裸晶发光芯片。
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