[发明专利]一种抽真空装置以及其控制方法

说明书

本发明涉及半导体镀膜领域技术领域，尤其涉及一种抽真空装置以及其控制方法。该抽真空装置中的底座具有通风腔，底座的上表面开设有多个通风口与通风腔相连通，底座安装于真空腔室底部，底座上表面用于承载基片。机械泵与真空腔室相连，用于对真空腔室进行抽取真空。第一机壳具有第一容纳腔，第一容纳腔与真空腔室相连通。蒸发器安装于第一容纳腔内，蒸发器用于将真空腔室内进入第一机壳内的气体冷凝液化。第二机壳具有第二容纳腔，第二容纳腔与第一容纳腔相连通，第二容纳腔还与通风腔相连通。冷凝器安装于第二容纳腔内，冷凝器用于将第二机壳内的气体加热后输送至通风腔内。本发明用于镀膜设备。

技术领域

本发明涉及半导体镀膜领域，尤其涉及一种抽真空装置以及其控制方法。

背景技术

半导体材料是现代半导体工业及微电子工业的基石。从物理角度来讲，它指的是导电性能介于导体和绝缘体之间的一类材。半导体基片在使用前往往需要对其进行镀膜处理，通常半导体镀膜需要在真空环境下进行。但是，镀膜设备一般采用不锈钢材质，镀膜设备在低温环境(例如北方冬季)下放置时，容易使得用于作为真空环境的真空腔室产生潮湿状态。这样一来，即使对真空腔室抽真空后，在对半导体基片进行加工时，遗留下的水份可能会对半导体基片加工产生影响。此外，遗留水份容易污染真空腔室，也不利于镀膜设备的长期存放。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为了解决现有技术的上述问题，本发明提供供一种抽真空装置以及其控制方法。解决了真空腔室遗留水份从而影响半导体基片加工的问题，改善了真空腔室内的环境。

(二)技术方案

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种抽真空装置，可以包括真空腔室、底座、机械泵、第一机壳、蒸发器、第二机壳和冷凝器。其中，底座具有通风腔，底座的上表面开设有多个通风口与通风腔相连通，底座安装于真空腔室底部，底座上表面用于承载基片。机械泵与真空腔室相连，用于对真空腔室进行抽取真空。第一机壳具有第一容纳腔，第一容纳腔与真空腔室相连通。蒸发器安装于第一容纳腔内，蒸发器用于将真空腔室内进入第一机壳内的气体冷凝液化。第二机壳具有第二容纳腔，第二容纳腔与第一容纳腔相连通，第二容纳腔还与通风腔相连通。冷凝器安装于第二容纳腔内，冷凝器用于将第二机壳内的气体加热后输送至通风腔内。

进一步地，该抽真空装置的第二机壳上开设有新风口。抽真空装置还可以包括第一风机和第二风机，其中，第一风机设置于第一机壳内，第一机壳开设有第一进风口和第一出风口，第一进风口与真空腔室相连通，第一出风口与第二机壳相连通；第一风机安装于第一进风口处，用于将真空腔室的气体输送至第一机壳内。第二风机设置于第二机壳内，第二机壳开设有第二进风口和第二出风口，第二进风口与第一机壳的第一出风口相连通，第二风机覆盖于第二进风口和新风口处，第二风机用于将第一机壳内的气体输送至第二机壳内，或者用于将新风口处的气体输送至第二机壳内。

进一步地，底座的上表面具有基片承载面，多个通风口绕基片承载面的周围设置。

进一步地，通风口倾斜设置，且通风口的出风方向朝向远离基片承载面的方向设置。

进一步地，抽真空装置还包括第一电动阀门、第二电动阀门、第三电动阀门和第四电动阀门，其中，第一电动阀门安装于真空腔室与第一机壳之间。第二电动阀门安装于第一机壳和第二机壳之间。第三电动阀门安装于第二机壳与通风腔之间。第四电动阀门安装于真空腔室与机械泵之间。

进一步地，抽真空装置还包括主管路、支路管路、第一流量计、第二流量计和第五电动阀门，其中，主管路与真空腔室相连通，机械泵和第四电动阀门安装于主管路上。支路管路一端与机械泵和第四电动阀门之间的主管路相连通，另一端与大气相连通。第一流量计安装于主管路上，且位于支路管路与机械泵之间。第二流量计安装于支路管路上。第五电动阀门安装于支路管路上。