[发明专利]一种用于一氧化碳在铑掺杂硒化铂上吸附分析方法

权利要求书

1.一种用于一氧化碳在铑掺杂硒化铂上吸附分析方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1、选择铑掺杂硒化铂分子结构的计算方法，并选取计算参数；

步骤2、根据选择的计算方法及参数优化铑掺杂硒化铂的分子结构；

步骤3、使用一氧化碳分子靠近结构优化后的铑掺杂硒化铂分子进行吸附模拟；

步骤4、根据吸附模拟得到结构优化后的铑掺杂硒化铂分子吸附能力；

步骤5、对结构优化后的铑掺杂硒化铂分子进行制备及表征；

步骤6、对吸附一氧化碳分子的结构优化后的铑掺杂硒化铂分子进行解吸附分析，并优化其解吸附方法。

2.根据权利要求1所述的一种用于一氧化碳在铑掺杂硒化铂上吸附分析方法，其特征在于：所述步骤1中选择铑掺杂硒化铂分子结构的计算方法包括以下步骤：

步骤1.1、在MS平台的GUI界面，使用DMol3包进行第一性原理计算；

步骤1.2、采用广义梯度近似中的Perdew-Burke-Emzerhof函数考虑电子交换和相关项；

步骤1.3、选择DFT-D2方法分析范德华力和长程相互作用；

步骤1.4、选择双数值加极化作为原子轨道的基组，通过DFT半核赝势方法解决铑掺杂剂的相对论效应。

3.根据权利要求1所述的一种用于一氧化碳在铑掺杂硒化铂上吸附分析方法，其特征在于：所述步骤1中选取的计算参数包括：k点网格采样选取10×10×1；自洽循环能量选取10^-6 Ha；全局轨道截止半径选取；拖尾选取0.005。

4.根据权利要求1所述的一种用于一氧化碳在铑掺杂硒化铂上吸附分析方法，其特征在于：所述步骤2的具体实现方法为：对铑掺杂硒化铂单层的3×3超晶胞选取真空区域为20Å，并且用铑取代硒的形成能来计算铑嵌入过程的能量消耗E_form：

其中E_Rh-PtSe2为嵌入铑单层的总能量，E_PtSe2为硒化铂单层的总能量，为分离的铑原子的化学势，为分离的硒原子的化学势。

5.根据权利要求4所述的一种用于一氧化碳在铑掺杂硒化铂上吸附分析方法，其特征在于：所述步骤3中使用的一氧化碳分子，其初始原子距离通过结构优化铑掺杂硒化铂的最大吸附能确定，最大吸附能E_ad的计算方法为：

E_ad= E_Rh-PtSe2/gas-E_Rh-PtSe2-E_gas

其中E_Rh-PtSe2/gas为结构优化铑掺杂硒化铂固体/气体系统的总能量；E_Rh-PtSe2为孤立的结构优化铑掺杂硒化铂单层的总能量，E_gas为一氧化碳气体分子的总能量。