[发明专利]一种MOF薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种MOF薄膜的制备方法，包括以下步骤：

利用分子层沉积技术将金属前驱体的气相和有机前驱体的气相交替脉冲沉积在基底表面，得到无定形有机-无机杂化薄膜；所述有机前驱体包括乙二醇或丙三醇；所述金属前驱体为二乙基锌、叔丁醇锆、三甲基铝、氯化锆或四氯化钛；

将所述无定形有机-无机杂化薄膜和有机配体进行配体交换晶化，得到MOF薄膜；所述有机配体为二甲基咪唑、二乙基咪唑或对苯二甲酸。

2.根据权利要求1所述MOF薄膜的制备方法，其特征在于，沉积所述金属前驱体的气相的脉冲时间为0.01～1200s。

3.根据权利要求1所述MOF薄膜的制备方法，其特征在于，沉积所述有机前驱体的脉冲时间为0.015～800s。

4.根据权利要求1所述MOF薄膜的制备方法，其特征在于，所述配体交换晶化的温度为30～300℃；所述配体交换晶化的保温时间为0.5～100h。

5.根据权利要求1所述MOF薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底包括粉末基底或非多孔基底；

所述粉末基底包括金属氧化物或碳材料，所述金属氧化物包括二氧化硅纳米线_、三氧化二铝、二氧化铈或二氧化钛；所述碳材料包括石墨烯、碳纳米管、碳螺旋或炭黑；

所述非多孔基底包括聚合物膜、单晶硅片或硅纳米阵列。

6.根据权利要求5所述MOF薄膜的制备方法，其特征在于，当基底为粉末基底时，进行所述交替脉冲沉积前还包括：将所述粉末基底分散于有机溶剂中，得到悬浮液；将所述悬浮液涂覆在载体表面后干燥；

当基底为非多孔基底时，进行所述交替脉冲沉积前还包括：将所述非多孔基底依次进行净化处理和干燥。

7.根据权利要求1所述MOF薄膜的制备方法，其特征在于，所述交替脉冲沉积的次数为1～1000次。